一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法

来源：动视网责编：小OO 时间：2025-09-29 23:19:47

一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN111349917A（43）申请公布日2020.06.30（21）申请号CN201811581213.2（22）申请日2018.12.24（71）申请人天津环鑫科技发展有限公司地址300384天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号A座二层（72）发明人高云雪;徐长坡;陈澄;梁效峰;李亚哲;王晓捧;杨玉聪;魏文博（74）专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人栾志超（51）Int.CI权利要

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导读（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN111349917A（43）申请公布日2020.06.30（21）申请号CN201811581213.2（22）申请日2018.12.24（71）申请人天津环鑫科技发展有限公司地址300384天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号A座二层（72）发明人高云雪;徐长坡;陈澄;梁效峰;李亚哲;王晓捧;杨玉聪;魏文博（74）专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人栾志超（51）Int.CI权利要

（19）中华人民共和国国家知识产权局

	（12）发明专利申请
		（10）申请公布号 CN111349917A（43）申请公布日 2020.06.30

（21）申请号 CN201811581213.2

（22）申请日 2018.12.24

（71）申请人天津环鑫科技发展有限公司

地址 300384 天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号A座二层

（72）发明人高云雪;徐长坡;陈澄;梁效峰;李亚哲;王晓捧;杨玉聪;魏文博

（74）专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人栾志超

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法

（57）摘要

本发明提供一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法，镀金液包括4‑10g/L的水溶性金盐、12‑20g/L的pH缓冲剂、4‑8g/L的络合剂、30‑45g/L的掩蔽剂和水，镀金方法包括使用上述镀金液对半导体芯片进行镀金，镀镍金的方法包括半导体芯片表面预处理；镀镍；使用上述半导体芯片的镀金方法进行镀金；烘干。该镀金液溶液稳定，镀金方法及镀镍金方法操作简单，镀金过程速率均匀，金层结合力强，芯片镀金层厚度均一。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2020-06-30	公开	公开
2020-06-30	公开	公开
2020-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN111349917A（43）申请公布日2020.06.30（21）申请号CN201811581213.2（22）申请日2018.12.24（71）申请人天津环鑫科技发展有限公司地址300384天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号A座二层（72）发明人高云雪;徐长坡;陈澄;梁效峰;李亚哲;王晓捧;杨玉聪;魏文博（74）专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人栾志超（51）Int.CI权利要

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