单晶硅片技术参数

来源：动视网责编：小OO 时间：2025-09-29 07:49:07

单晶硅片技术参数

Specificationsfor125×125pseudsquareSisinglecrystalwafer125×125准方单晶硅片技术参数表Item（项目）Specification（规格）Unit（单位）Remarks（备注）Material（材料）Silicon（硅）CrystalGrowthMethod（晶体成长方法）CZ（直拉法）ConductivityType（传导率）Ptype（P型）Dopant（搀杂物）Boron（硼）CrystalOrientation（晶体取向）±3D

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Specifications for 125×125 pseudsquare Si single crystal wafer

125×125准方单晶硅片技术参数表

Item（项目）	Specification（规格）	Unit（单位）	Remarks（备注）
Material（材料）	Silicon（硅）
Crystal Growth Method （晶体成长方法）	CZ（直拉法）
Conductivity Type（传导率）	P type（P型）
Dopant（搀杂物）	Boron（硼）
Crystal Orientation （晶体取向）	<100>±3	Degree（度）
Resistivity（电阻系数）	0.5~3	Ω-cm
Life Time（少子寿命）	≥10	μS
Oxygen Contents（氧含量）	≤1x1018 at/cm3
Carbon Contents（含碳量）	≤5.0x1016 at/cm3
Diameter（直径）	150±1	mm	附图直径B
Length（长度）	125x125±0.5	mm	附图边长A
Thickness（厚度）	240±30	μm
四条方边宽度尺寸最大允许差值	≤1.5	mm	附图边长C
Angles（a,b,c,d）（四条边直角度）	90°±0.3°	Degree（度）
Dislocation（位错密度）	≤3000	ea/ cm2 （个/ cm2）
TTV（总厚度变化）	≤50	μm
Bow（翘曲度）	≤70	μm
损伤层深度（刀痕）	≤15	µm
Quality of surface （表面质量）	1、硅片表面无通孔和裂纹（拉丝）现象； 2、沿硅片径向长度小于1mm，宽度小于1mm，不超过硅片厚度1/3的崩边，在整片中不允许超过3个； 3、表面无沾污异常斑点，无氧化。

单晶硅片技术参数

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