PECVD镀膜设备

deposi-tion,PECVD），也称等离子体化学相沉积（PCVD），是将低压气体放电形成的等离子体应用于化学气相沉积的一项具有发展前途的新技术。

一、概述：

PECVD磁控生产线是大型平面快速制备硅类膜连续生产设备、增强等离子化学沉积连续生产镀膜设备，采用射频PECVD化学气相沉积技术，沉积速率快，成膜质量好，可镀制氧化物薄膜、氮化物薄膜、氧氮化物薄膜、无定型硅薄膜和碳化硅薄膜等薄膜种类。

二、真空室尺寸和技术指标：

大产品尺寸：1000×800（尺寸可根据客户要求订做）

1、极限压强：5×10－4pa

2、生产节拍：3-5分钟。（根据生产工艺而定）。

三、组成和系统：

1、PECVD磁控生产线由八个室组成，分别为：过渡室—加热室—镀膜四室—冷却室—过渡室。是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电脑，在局部形成等离子体，而等离子化学活 性很强，很容易发生反应，在基篇上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子 体增强化学气相沉积（PECVD）。

实践机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

优点：基本温度低；沉积速度快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。

PECVD技术中等离子体的性质

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或等离子体铺助化学气相沉积（PACVD）是依靠等离子体中电子的动能去激活气相的化学反应。由于等离子体是离子、电子、中性原子和分子的集合体，因此大量的能量存储在等离子体的内能之中。等离子体分为热等离子体和冷等离字体。PECVD系统中是冷等离子体，它是通过低压气体放电而形成的。这种在几百帕以下的低气压下放电所生产的等离子体是一种非平衡的气体等离子体。这种等离子体的性质是：

（1） 电子和离子的无规则热运动超过了它们的定向运动；

（2） 它的电离过程主要是由快速电子与气体分子碰撞引起的；

（3） 电子的平均热运动能量远比重粒子如分子、原子、离子和自由基等粒子的运动能量高（1～2个数量级）；

（4） 电子和重粒子碰撞后的能量损失可在两次碰撞之间从电场中补偿。