3-4-2光伏探测器

由于PIN型光电二极管在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展到整个PN结结区，形成自身保护（具有很强

雪崩光电二极管为具有内增益的一种光生伏特器件。它利用雪崩效应获得光电流的增益。电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加，其电流倍增系数定义为0

I M =

为倍增输出的电流，I 0为倍增前输出的电流。

（npn）型

n型硅片作为衬底，扩散硼而形成p型，再扩散磷而形

＋层，并涂sio

作为保护层。在重掺杂n+引出一个电

２

光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光4.温度特性

硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流I

和光电流

d

度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅它的响应范围为0.4~1.1μm，峰值波长为0.85μ3.光电位置敏感器件（PSD）小结

光伏探测器可以工作于零偏与反偏两种状态。零偏工作时，

不会引入偏置电路噪声，还可简化前级电子电路。反偏工作

时，可以降低器件的热噪声及散粒噪声，并可减小器件电容，

此外可得到较高的探测率和响应频率。

光伏探测器的响应速度比光电导探测器快，它主要取决于负

载电阻和结电容所构成的时间常量。

与光电导探测器一样，光伏探测器的灵敏度与频带宽度之积

为一常量，在使用时要综合考虑。同时，器件的各种参量基本

上都与温度有关。降低探测器工作温度会减小暗电流和噪声，

提高电路的稳定性。