用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液及制备方法

来源：动视网责编：小OO 时间：2025-09-22 22:55:32

用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液及制备方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利说明书（10）申请公布号CN1283836C（43）申请公布日2006.11.08（21）申请号CN200410017032.9（22）申请日2004.03.18（71）申请人中国科学院上海技术物理研究所地址200083上海市玉田路500号（72）发明人司俊杰;马斌（74）专利代理机构上海新天专利代理有限公司代理人张泽纯（51）Int.CI权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液及制备方法（57）摘要本发明涉及

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导读（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利说明书（10）申请公布号CN1283836C（43）申请公布日2006.11.08（21）申请号CN200410017032.9（22）申请日2004.03.18（71）申请人中国科学院上海技术物理研究所地址200083上海市玉田路500号（72）发明人司俊杰;马斌（74）专利代理机构上海新天专利代理有限公司代理人张泽纯（51）Int.CI权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液及制备方法（57）摘要本发明涉及

（19）中华人民共和国国家知识产权局

	（12）发明专利说明书
		（10）申请公布号 CN1283836C（43）申请公布日 2006.11.08

（21）申请号 CN200410017032.9

（22）申请日 2004.03.18

（71）申请人中国科学院上海技术物理研究所

地址 200083 上海市玉田路500号

（72）发明人司俊杰;马斌

（74）专利代理机构上海新天专利代理有限公司

代理人张泽纯

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液及制备方法

（57）摘要

本发明涉及一种用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液(TMAH)及制备方法，本发明用10wt%TMAH腐蚀液，在60℃温度下，溶入1.5～1.75摩尔/升硅粉，再升温到90℃，溶入3.0～5.0克/升过硫酸铵，1.0～2.0克/升吡嗪，溶解后得到所要求的四甲基氢氧化铵腐蚀液(TMAH)腐蚀液。该腐蚀液对硅(100)面有约1μm/min的腐蚀速率，铝膜不被腐蚀，同时被腐蚀硅表面平整。实验检验得到腐蚀后的铝膜表面同硅铝丝键合良好。可以认为，本腐蚀工艺实现了同CMOS工艺的完全兼容。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2005-01-12	公开	公开
2005-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-08	授权	授权
2012-05-23	专利权的终止	专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液及制备方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利说明书（10）申请公布号CN1283836C（43）申请公布日2006.11.08（21）申请号CN200410017032.9（22）申请日2004.03.18（71）申请人中国科学院上海技术物理研究所地址200083上海市玉田路500号（72）发明人司俊杰;马斌（74）专利代理机构上海新天专利代理有限公司代理人张泽纯（51）Int.CI权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液及制备方法（57）摘要本发明涉及

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