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一、填空题:
1、图1所示处于正向导通状态的PN结,则a、b两区分别是PN结的 区、 区。
2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量,若两次读数都为∞,则此二极管_____;若两次读数都接近零,则此二极管_____________;若读数一次很大,一次读数小,则此二极管______________。
3、三极管的内部结构是有 区、 区、 区及 结和 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 极、 极、 极。
4、二极管有 个PN结,二极管的主要特性是 ,三极管有 个PN结,三极管的主要作用是 。
二、是非题:
1、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
2、N型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。( )
3、P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。( )
4、发射结处于反偏的三极管,它一定工作在截止区。( )
5、三极管是由两个PN结组合而成的,所以将两个二极管对接,也可以当三极管使用。( )
二、选择题:
1、某晶体管的发射极电流等于 1mA , 基极电流等于20µA, 则它的集电极电流等于( )mA.
A、0B、1C、0D、1.2
2、当晶体管工作在放大区时,( )。
A. 发射结和集电结均反偏 B.发射结正偏,集电结反偏
C. 发射结和集电结均正偏 D.发射结反偏,集电结正偏
3、测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管
4、三极管工作在饱和状态的条件是( )。
A.发射结正偏,集电结正偏 B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结反偏 D.发射结反偏,集电结正偏
5、测得工作在放大状态的三极管三个管脚1、2、3对地电位分别为0V,-0.2V,-3V,则1、2、3脚对应的三个极是( )。
A.ebc B.ecb C.cbe D.bec
6、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( )。
A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ,反向电阻小
C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大
7、测量某硅三极管 各电极的对地电压值为,, ,该管子工作在( )
A.放大区 B.截止区 C.饱和区 D.无法判断
8、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为 ( )。
A. 83 B. 91 C. 100 D、120
9、一个正常工作放大器中,测得某个三极管各管脚电位是3V,12V,3.7V,则该管是( )
A、PNP管 B、NPN管 C、不知道 D、都有可能
10、测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
A 、放大状态 B 、 饱和状态 C、截止状态 D、不确定
11、锗二极管的导通电压( ),死区电压( )。
硅二极管的导通电压( ),死区电压( )。
A、0、0、0、0.5V
12、NPN型 和 PNP型晶体管的区别是( )。
A、由两种不同材料硅和锗制成的 B、掺入杂质元素不同
C、P区和N区的位置不同 、无法确定
三、分析计算题:
1、写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管为理想二极管。
2、测得某电路中三个NPN型硅三极管的三个电极的电位如所示,试分析各管的工作状态(截止、饱和、放大),并填入表内。
| 管号 | UB(V) | UC(V) | UE(V) | 工作状态 |
| 1 | 3 | 12 | 2.3 | |
| 2 | —4 | 6 | 0 | |
| 3 | 4 | 2 | 3.2 |
