实习一 金属电子逸出电势的测量
【实验要求和目的】
1. 了解金属电子逸出功的基本理论
2. 学习用里查孙直线法测定钨的逸出功
3. 学习用计算机接口辅助进行实验数据采集和处理 【实验原理】
在理想二极管的阳极上加以正电压时,连接这两个电极的外电路中将有电流通过,这种现象,称为热电子发射。
金属中的传导电子能量的分布是按费密—狄喇克能量分布的。即
121
233]1)[exp()2(4)()(-+-==kT
E E E m h dE dN E N E f
F π
(1)
在绝对零度时电子的能量分布如右图中曲线(1)所示。这时电子所具有的最大能量为F E (费密能级)。当温度T >0时,电子的能量分布曲线如图中曲线(2)、(3)所示。
通常温度下金属表面与外界(真空)之间存在一个势垒
b E ,电子要从金属中逸出,至少具有能量b E 。在绝对零度
时电子逸出金属至少要从外界得到的能量为
φe E E E F b =-=0 (2)
0E (或e φ)称为金属电子的逸出功,它表征要使金属中比费米能极F E 具有最大能量的电
子逸出金属表面所需要给予的能量。φ称为逸出电势。
提高阴极温度使其中一部分电子的能量大于势垒b E 。这样,能量大于势垒b E 的电子就可以从金属中发射出来。因此,逸出功e φ的大小,决定了电子发射的强弱。
根据费密—狄喇克能量分布公式(1),可以导出热电子发射的里查孙—热西曼公式
)e x p (2
kT
e AST I φ
-
= (3) 式中I —热电子发射的电流强度(A)。A —和阴极表面化学纯度有关的系数(A ·m -2·K -2)。
S —阴极的有效发射面积(m 2). T —发射热电子的阴极的绝对温度(K)。 K —玻尔兹曼常数,k=1.38×10-23J ·K -1
由于A 和S 两个量难以直接测定,所以在实际测量中用下述的里查孙直线法。 将式(3)两边除以2
T ,再取常用对数得
T AS kT e AS T I 11004.5lg 30.2lg lg
3
2
φφ⨯-=-= (4)
从(4)式可见,2lg
T I 与T 1成线性关系。如以2
lg T
I 为纵坐标,以T 1
为横坐标作图,从
所得直线的斜率,即可求出电子的逸出电势φ,从而求出电子的逸出功e φ。
为了维持阴极发射的热电子能连续不断地飞向阳极,必须在阴极和阳极间外加一个加速电场a E 。然而由于a E 的存在会使阴极表面的势垒b E 降低,因而逸出功减小,发射电流增大,这一现象称为肖脱基效应。在阴极表面加速电场a E 的作用下,阴极发射电流a I 与a E 有如下的关系
)439.0exp(
T
E I I a
a = (5)
式中a I 和I 分别是加速电场为a E 和加速电场为零时的发射电流。对(5)式取对数得 a a E T
I I 30.2439
.0lg lg +
= (6)
如果把阴极和阳极做成共轴圆柱形,并忽略接触电势差和其它影响,则加速电场 1
2
1ln r r r U E a a =
(7)
式中1r 和2r 分别为阴极和阳极的半径,a U 为阳极电压,将(7)式代入(6)式
1
21ln
30.2439
.0lg lg r r r U T
I I a a +
= (8)
由右图所示。直线的延长线与纵坐标的交点即为
I lg 。由此即可求出在一定温度下加速电场为零时的发射电流I 。
实验电路如左图所示。 【实验仪器】
WF-4型金属电子逸出功测定仪、理想二极管。
【实验步骤】
1.连接好阳极和灯丝的电压、电流表,测量灯丝电流和阳极电流及阳极电压。接通电源,预热10分钟。
2.将理想二极管灯丝电流f I 从0.55~
0.75A ,每间隔0.05A 进行一次测量。对应每一灯丝电流,在阳极上加16,25,36,49,…121V 诸电压,各测出一组阳极电流a I ,并计算对数值a I lg 。
3.作出a I lg ~a U 图线。再根据a I lg ~a U 直线的延长线与纵坐标上的截距,从图上直接读出不同阴极温度时的零场热电子发射电流I 的对数值I lg 。
4.计算不同温度T 时的2lg
T I 和T 1值,并据此作出2lg T I ~T
1
图线。根据直线斜率
【数据处理】
4,456 eV
E= 1.9 % 与逸出功公认值eφ=4.54eV相比的相对误差:
r
2.图解法数据处理:
根据表中数据作图:以2
lg
T
I
为纵坐标,T 1为横坐标,用图解法求直线的斜率。 直线斜率:=∆∆=
)1()(lg
2
T
T I
m -(1.00/0.42) ×104 = -2.38 ×104 逸出电势φ=
3
10
04.5⨯-m
= 4,72 (V)
逸出功e φ= 4,72 eV
与逸出功公认值e φ=4.54eV 相比的相对误差:r E = 4.0 %
实习二 用磁控方法测量荷质比
【目的与要求】
1.加深对带电粒子在电磁场中运动规律的理解。 2.了解电子束的磁控原理并定量分析磁控条件。 3.测定电子荷质比和用计算机辅助进行数据处理。 【实验原理】
本实验装置的电路原理如下图所示:
在理想二极管的阳极加有正电压时,从阴极发射的电子流受电场的作用将作径向运动(下图 a )。如在理想二极管外面套一个通电励磁线圈,原来沿径向运动的电子在轴向磁场作用下,运动轨迹将发生弯曲(下图 b )。在理想情况下,若进一步加强磁场(加大线圈的励磁电流),电子经圆周运动后又返回阴极附近不再到达阳极(电子流运动如下图 c ),阳极电流迅速下降,此时称为临界状态。若进一步增强
磁场,就会造成阳极电流“断流”。这种利用磁场控制阳极电流的过程称为“磁控”。
在一定的阳极加速电压下,阳极电流a I 与励磁电流S I 的关系如左图所示。
在单电子近似情况下,从阴极发射出的、质量为m 的电子动能
E eU mV a +=22
1
(1) 电子在磁场B 的作用下作半径为R 的圆周运动,满足
eVB R
V m =2
(2)
螺线管线圈中的磁感强度B 与励磁电流S I 成正比
S I B ∝ 或 S I K B '= (3)
由(1)、(2)、(3)式可得:
2
22
2
/K R m e I e E U S a '⋅⋅=+ (4) 设阳极内半径为a ,阴极(灯丝)半径忽略不计,当多数电子都处临界状态时,在阳极电流变化曲线上选择一点称为临界点Q ,与临界点Q 对应的励磁线圈的电流S I 称为临界电流
C I ,且此时2/a R =,阳极电压a U 与C I 的关系可写为:
222
8/K a m e I e E U C a '⋅⋅=+ 或 : K I e E U C
a =+2/ (5) 上式中228
K a m e K '⋅⋅=为一常数。显然,a U 与2C I 成线性关系。可按多数电子的运动情况来考虑临界点:在阳极电流S a I I ~变化曲线上取阳极电流最大值0a I 约1/4高度的点为临界点Q , Q 点的横坐标值作为磁场的临界电流值。 改变不同的a U 有不同的C I 值与之对应。 将测得的a U ~2
C I 数据组用图解法或最小二乘法求得斜率K 。 根据励磁线圈的有关参数:线圈的内半径1r 、外半径2r ,线圈长度L 和电流和匝数的积NI ,可求出励磁线圈中心处产生的磁感强度:
2
2
1
122221200ln
)
(2L
r r L r r r r NI
B ++++-=
μ (6)
再将此磁感强度和测得的K 值、理想二极管的阳极内半径a 等代入公式(5)、(4)、(3),即可求得电子的荷质比m e /。
【实验仪器】
WF-4型金属电子逸出功测定仪、计算机等。
1.将理想二极管、励磁线圈与金属电子逸出功测定仪用导线连接好,测定仪的COM 接口与电脑上的COM接口相连接。打开测定仪的电源,功能选择键为“荷质比”,将二极管的灯丝电流调到700~740mA范围的某一个值并始终保持不变,预热10分钟。打开电脑,仔细阅读“磁控条件”实验软件中仪器介绍和使用说明。
2.将阳极电压调到6.00V保持不变。选择电脑屏幕上“开始实验”,“第一条曲线开始”。缓慢由最小逐步增大励磁电流,当阳极电流下降为0附近时,按下“第一条曲线结束”,并将励磁电流调到最小。
3.分别测量阳极电压为5.00V、4.00V、3.00V、2.00V和1.00V时的Ia~Is关系曲线。
4.对每一Ia~Is关系曲线,确定阳极电流的最大值I a0, 并求出Ia=(1 /4) I a0的Q点位置,记录对应的励磁电流Ic值。
5.所有曲线的Ic值确定后,点击“数据处理”,根据Ua、Ic2的列表,作相应的Ua~Ic2关系图,并计算每一ΔUa/ΔIc2的斜率。
6.根据实验所得的斜率及给定的相关参数,计算电子的荷质比e/m。
【数据记录和处理】
理想二极管的阳极半径a= 0.0042m 线圈长度L= 0.040m 匝数N=961
线圈内半径r1=0.021m 线圈外半径r2= 0.028m
荷质比e/m=1.77×1011C/kg
与公认值e/m=1.759×1011C/kg的百分误差为0.6%.
六.分析与讨论
1.临界点Q的选择均应用同一原则,即或取Ia=(1 /4) I a0,或取Ia=(1 /5) I a等,且尽可能选取最接近的值(很有可能该点未被采集到),否则Q点对应的I C值的读取会有很大的误差,直接影响测量结果。由于本实验利用计算机实时采集和处理,在处理过程中,中间量的读取具有很大的人为因数,所以必须注意。
2.在测量阳极电流的过程中,必须保持灯丝电流不变(取值在0.700~0.740mA间),即参考点不能变。