
| 仪器型号 | QT2 | KTD | 上海科梯达电子科技有限公司 | 文件编号 | QG/ESM04-2011-04-008 | 页码 | |||||||||||
| 仪器名称 | 晶体管测试仪 | 操 作 指 导 书 | 版 本 | A/0 | 8/1 | ||||||||||||
| 生效日期 | 2012/05/22 | ||||||||||||||||
| 注 意 事 项 | 使用仪器前必须注意以下项,以保证正确,安全的进行测试。 1 对被测管的主要进流参数的熟悉与了解,特别了解该被测管的集电极最大允许耗散功率PCM,集电极对其它极的最大反向击穿电压台BVCEO,BVCBO,BVCER,集电极最大允许电流ICM等主要指示。 2 在测试前首先将极性与被测管所需要的极性相同即选择PNP或NPN的开关置于规定位置,这样基本上确定了被测管的集电极电压极性,阶梯极性,以及测量象限。 3 将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压,一般情况下将峰值电压旋至零,输出电压按至合适的档级,并将功耗电阻置于一定的阻值,同时将X、Y偏转开关置于合适的档级,此档级以不超过上述几个主要直流参为原则。 4 对被测管进行必要的估算,以选择合适的注入阶梯电流或电压,此估算的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率。 估算方法一般取被测管β为100级/族为10级此时在管子的承受功率P C=Ιb×10级×β×VCE在发射极接地的情况下)P C≤P CM。 5.在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜,以免被测管的电流击穿。 6.在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况,不应超过本仪器规定的最大电流。具体数据列表如下: 电压档级 | 10V | 50V | 100V | 500V | 5KV | |||||||||||
| 允许最大电流 | 50A | 10A | 5A | 0.5A | 5mA | ||||||||||||
| 在进行50A(10V)档级时当实际测试电流超过20 A时以脉冲阶梯为宜 | 操 作 图 示 | ||||||||||||||||
| 变 更 履 历 | 备 注: | 核 准 | 审 核 | 编 制 | |||||||||||||
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| 仪器型号 | QT2 | KTD | 上海科梯达电子科技有限公司 | 文件编号 | QG/ESM04-2011-04-008 | 页码 | |||||||||||
| 仪器名称 | 晶体管测试仪 | 操 作 指 导 书 | 版 本 | A/0 | 8/2 | ||||||||||||
| 生效日期 | 2012/05/22 | ||||||||||||||||
| 测试前的开机与调节 | 1开启电源 将电源开关向右方向按动,此时白色指示灯即发光亮,待预热十分钟后产即进行正常测试。在必要时测量进线电压以在220V±10%的范围内为宜。 2调节辉度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度,将示波管会聚面一清晰的小光点,标尺亮度以能清晰满足测量要示求为原则。 3Y、X移位 对Y、X移位旋钮置于中心位置,此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方或右上方。再调节移位旋钮使其在左下方或右下方实线部分的零点。 4对Y、X校准 将Y、X灵敏度分别进行10分钟校准,其方法将方Y(或X)方式开关自“⊥”至“校准”此时光点或基线应有10度偏转,台超过或不到时应进行增益调节。 5阶梯调零 阶梯调零的原理即阶梯先在示波管上显示,然后根据放大器输入端接地所显示的位置,再调节调零电位器使其与放大器接地时重合即完成调零。 6电容性电流平衡 在要求较高电流灵敏度档级进行测量时,可对电容性电流进行平衡,平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏芳档级使示波管显示一电容性电流,调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可。 7集电极电压检查 在进行测量前应检查集电极电压的输出范围,检查时将VC置于相对应档级,当发现将峰值电压顺时针方向最大时,其输出在规定值与大于10%之间即正常,如超过或小于上述规定请检查进线电压。(此时功耗限止电阻应等于0) | 操 作 图 示 |
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| 仪器型号 | QT2 | KTD | 上海科梯达电子科技有限公司 | 文件编号 | QG/ESM04-2011-04-008 | 页码 | |||||||||||
| 仪器名称 | 晶体管测试仪 | 操 作 指 导 书 | 版 本 | A/0 | 8/3 | ||||||||||||
| 生效日期 | 2012/05/22 | ||||||||||||||||
| 反向击穿电压测试 | 本仪器可进行下列各种反向击穿电压测试,测试定义见有关半导体测试标准。 VCBO 集电极基极间电压(发射极开路) | ||||||||||||||||
| VCBO 发射极基极间电压(集电极开路) | |||||||||||||||||
| VCEO 集电极与发射极间电压(基极开路) | |||||||||||||||||
| VCER 集电极与发射极间电压(基极与发射极间电阻连接) | |||||||||||||||||
| VCES 集电极与发射极间电压(基极与发射极短路) | |||||||||||||||||
2.被测管的CBE按上表的连接方法进行连接。
3.零电压、零电流的阶梯输入开关按要求进连接,选择正确的开路(零电流)或短路(零电压)。
4.Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级,一般置于100/uA度档级。或根据要求置于要求档级。
5.X偏转放大器的电压/度置于Uc合适的档级(视被测管的特性及集电极电压输出值).
6.将功耗电阻置于较大档级,一般置于10KΩ~100KΩ之间的任意档级。
7.根据被测管所在A、B位置,选择测试A或测试B的位置。
| 8.集电极电压置于合适的档级,峰值电压为零,当测试时再按顺时针方向徐徐加大输出电压。 | 操 作 图 示 |
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| 仪器型号 | QT2 | KTD | 上海科梯达电子科技有限公司 | 文件编号 | QG/ESM04-2011-04-008 | 页码 | |||||||||||
| 仪器名称 | 晶体管测试仪 | 操 作 指 导 书 | 版 本 | A/0 | 8/4 | ||||||||||||
| 生效日期 | 2012/05/22 | ||||||||||||||||
| 各种特性曲线测试 | VCE-IC特性测试 1. 根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP并将开关置于常态。如基极需要反相时可置于“倒置”。 1.被测管的CBE按规定进行联接。 2.将Y电流/度置于合适档级,X电压/度置于合适档极。 3.测试A与测试B置于被测管连接的一边。 4.集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方或右上方的零点开始。 5.选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级某一档级(一般置于较小档级,再逐级加大至要求值)。 6.选择合适的功耗电阻,电阻值的确定可按负载线的要求或保护被测管的要求进行选择。 7.对所显示的曲线进行读数或记录。 | 操 作 图 示 |
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| IB-IC特性测试 1.根据集电极,基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级,并将开关置于常态。如基极需要反向时可置于倒置。 2.被测管的CBE按规定进行联接。 3.将Y电流/度置于合适档级,X电压/度置于合适的档级。 4.测试A与测试B置于被测管连接的一边。 5.集电极电压按要求值与功耗电阻进行调节,必要时将X电压/度置于电压档级进行较精确的调节。 6.将Y、Y方式开关调节零点位置。 7.选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级某一档级(一般置于较小档级,再逐级加大至要求值)。 8.对所显示的IB-IC曲线进行读数和记录并记算hFE值计算方法为: hFE=IC/IB=幅度/级×级数 | |||||||||||||||||
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| 仪器名称 | 晶体管测试仪 | 操 作 指 导 书 | 版 本 | A/0 | 8/5 | ||||||||||||
| 生效日期 | 2012/05/22 | ||||||||||||||||
| 各 种 特 性 曲 线 测 试 | VBE-IC特性测试 1、根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级,并将开关置于常态,如基极需要反向时可置于“倒置”。 2、被测管的CBE按规定进行联接。 3、将Y电流/度置于基极电流或电压档级,X电压/度置于合适的档级。 4、测试A与测试B置于被测管连接的一边。 5、集电极电压按要求值进行调节,必要时将X电压/度置于电压档级进行较精确的调节。 6、将功耗电阻置于“0”。 7、将Y、Y方式开关调节零点位置。 8、选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级某一档级(一般置于较小档级,再逐级加大至要求值)。 9、对所显示的VBE-IB曲线进行读数和记录 | 操 作 图 示 |
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| VBE-IC特性测试 1.根据集电极,基极的极性,将测试选择开关置于NPN或PNP档级,并将开关置于常态,如基极需要反向时可置于“倒置”。 2.被测管的CBE按规定联接。 3.将Y电流/度置于合适的IC档级,X轴电压/度置于合适的VBE档级。 4.测试A与测试B置于被测管连接的一边。 5.集电极电压按要求值进行调节,必要时将X电压/度置于电压档级进行较精确的调节。 6.将功耗电阻置于“0”。 7.将Y、Y方式开关调节零点位置。 8.选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级某一档级(一般置于较小档级,再逐级加大至要求值) 9.对所显示的VBE-IC曲线进行读数和记录。 | |||||||||||||||||
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| 生效日期 | 2012/05/22 | ||||||||||||||||
| 二 极 管 特性测试 | 二极管测试其主要的原理即使仪器提供一个被测管需要的正反二个方向的电压,并且通过Y电流/度及X电压/度的选择,使其在示波管上显示所要的测量值。 本仪器提供了二种测试手段,当反压小于500V电流小于5mA时,可在上述的三极管测试中,利用C、E二极进行正向和反向测试,当反压小于500V电流小于5mA时,可在专用的二极管测试插孔中进行测试。 在小于500V二极管测试中电压极性也由测试选择开关进行转换,当置于“NPN”档级时,其集电极插孔为正电压,置于“PNP”档级时,集电极插孔为负电压。而在3000V二极管测试中其极性不变,可以通过二极管的测量端的变换达到极性的转换。 二极管的测试方法: 1. 通过二砐管的测试盒与仪器二极管测试孔相连,在特殊的情况下也可用合适的耐高压线与插孔相连,被测管按面板所示的二极管极性与测试孔相连。 2. 将集电极输出电压琴键按至3000V档级,此时并将峰值电压逆时针方向旋转至零。 3. 将Y电流/度置于IB范围内的合适档级,并将X电压/度置于UD范围内的合适档级。 4. 按入“测试”按钮,并徐徐缓慢升高峰值电压直至要求值或二极管击穿电流超过规定值的电压时止。 5.由于高压测试插孔中具有高压,因此在按入“测试”按钮时,切勿接确测试插孔的任一端。 | 操 作 图 示 |
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| 场 效 应 管 特性测试 | 场效应管的测试可根据需要对漏源电流(IDS),最大漏源电流(IDSM)饱和漏源电流(IDSS)夹断电压(VP)跨导(gM),最大电源电压(BVDS)等参数进行测试。测试回路见右图 1、根据P沟道或N沟道的具体管型分别将测试选择开关置于NPN或PNP,并将开关置于“倒置”,必要时也可置于“常态”。 2、被测管的D接C,G接B,S接E。 3、将Y电流/度置于IC合适档级(实际为IDS值),X电压/度开关置于UC合适档级(实际为VDS值)。 4、测试A与测试B置于被测管连接的一边。 5、按照UDS要求值调节集电极峰值电压,并调节使在左下方(N沟道)或右上方(P沟道)的零点开始。 6、选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级某一档级(一般置于较小档级,再逐级加大至要求值)。 7、选择合适的功耗电阻,电阻值的确可按负载线的要求或保护被测管的要求进行选择。 8、对所显示的VDS-ID曲线进行读数或记录。 9、如需要显示VGS-ID曲线可将X电压/度置于合适的档级,进行读数和记录。 | 操 作 图 示 |
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| 变 更 履 历 | 备 注: | 核 准 | 审 核 | 编 制 | |||||||||||||
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| 仪器型号 | QT2 | KTD | 上海科梯达电子科技有限公司 | 文件编号 | QG/ESM04-2011-04-008 | 页码 | |||||||||||
| 仪器名称 | 晶体管测试仪 | 操 作 指 导 书 | 版 本 | A/0 | 8/8 | ||||||||||||
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| 可 控 硅 整 流 器 特性测试 | 可控硅整流器的测试可根据需要对正向阻断峰值电压(PEV),正向漏电流(IPF),反向阻断峰值电压(PRV)反向漏 电流(IR),控制极可触发电压(VGT),控制极可触发电流(IGR)正向电压降(VF)等参数进行测试。具体回路见下图 1.将测试选择开关置于NPN,并将开关置于“常态”。 2.被测管的A接C,G接B,C接E。 3.将Y电流/度开关置于IC范围内的合适档级(实际为IF值),X电压/度开关置于UD合适档级(实际上UA值)。 4.测试A与测试B置于被测管连接的一边。 5.按照VAC的要求值调节集电极峰值电压值,并调节使在右下方的零点开始。 6.选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级某一档级(一般置于较小档级,再逐级加大至要求值)。 7.选择合适的功耗电阻,但应不使电阻为零,以免电流过大而使被测管烧坏。 8.对显示的VA-IF曲线进读数或记录。 9.如需要显示IGT-VGT曲线可将X电压/度置于VBE档级,Y电流/度置于档级,进行读数或记录。 | 操 作 图 示 |
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| 变 更 履 历 | 备 注: | 核 准 | 审 核 | 编 制 | |||||||||||||
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