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北京大学物理实验报告:霍尔效应测量磁场(docx版)

来源:动视网 责编:小OO 时间:2025-10-01 20:57:14
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北京大学物理实验报告:霍尔效应测量磁场(docx版)

霍尔效应测量磁场【实验目的】(1)了解霍尔效应的基本原理(2)学习用霍尔效应测量磁场【仪器用具】仪器名参数电阻箱霍尔元件导线SXG-1B毫特斯拉仪(1%+0.2mT)PF66B型数字多用表200mV档(0.03%+2)DH1718D-2型双路跟踪稳压稳流电源0~32V0~2AFluke15B数字万用表电流档(1.5%+3)VictorVC9806+数字万用表200mA档(0.5%+4)【实验原理】(1)霍尔效应法测量磁场原理若将通有电流的导体至于磁场B之中,磁场B(沿着z轴)垂直于电流IS(沿
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导读霍尔效应测量磁场【实验目的】(1)了解霍尔效应的基本原理(2)学习用霍尔效应测量磁场【仪器用具】仪器名参数电阻箱霍尔元件导线SXG-1B毫特斯拉仪(1%+0.2mT)PF66B型数字多用表200mV档(0.03%+2)DH1718D-2型双路跟踪稳压稳流电源0~32V0~2AFluke15B数字万用表电流档(1.5%+3)VictorVC9806+数字万用表200mA档(0.5%+4)【实验原理】(1)霍尔效应法测量磁场原理若将通有电流的导体至于磁场B之中,磁场B(沿着z轴)垂直于电流IS(沿
霍尔效应测量磁场

【实验目的】

(1) 了解霍尔效应的基本原理

(2) 学习用霍尔效应测量磁场

【仪器用具】

仪器名参数
电阻箱
霍尔元件
导线
SXG-1B毫特斯拉仪

 (1%+0.2mT)

PF66B型数字多用表200 mV档

 (0.03%+2)

DH1718D-2型双路跟踪稳压稳流电源

0~32V 0~2A
Fluke 15B数字万用表电流档

 (1.5%+3) 

Victor VC9806+数字万用表200mA档

 (0.5%+4)

【实验原理】

(1)霍尔效应法测量磁场原理

若将通有电流的导体至于磁场B之中,磁场B(沿着z轴)垂直于电流IS(沿着x轴)的方向,如图1所示则在导体中垂直于B和IS方向将出现一个横向电位差UH,这个现象称之为霍尔效应。

图 1霍尔效应示意图

若在x方向通以电流IS,在z方向加磁场B,则在y方向A、A′两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场.当载流子所受的横向电场力FE洛伦兹力FB相等时:

此时电荷在样品中不再偏转,霍尔电势差就有这个电场建立起来。

N型样品和P型样品中建立起的电场相反,如图1所示,所以霍尔电势差有不同的符号,由此可以判断霍尔元件的导电类型。

设P型样品的载流子浓度为p,宽度为w,厚度为的d。通过样品电流IS=pqvwd,则空穴速率v=IS/pqwd,有

其中RH=1/pq称为霍尔系数,KH=RH/d=1/pqd称为霍尔元件灵敏度。

(2)霍尔元件的副效应及其消除方法

在实际测量过程中,会伴随一些热磁副效应,这些热磁效应有:

埃廷斯豪森效应:由于霍尔片两端的温度差形成的温差电动势UE

能斯特效应:热流通过霍尔片在其端会产生电动势UN

里吉—勒迪克效应:热流通过霍尔片时两侧会有温度差产生,从而又产生温差电动势UR

除此之外还有由于电极不在同一等势面上引起的不等位电势差U0

为了消除副效应,在操作时我们需要分别改变IH和B的方向,记录4组电势差的数据

当IH正向,B正向时:

当IH负向,B正向时:

当IH负向,B负向时:

当IH正向,B负向时:

取平均值有

(3)测量电路

图 2霍尔效应测量磁场电路图

霍尔效应的实验电路图如图所示。IM是励磁电流,由直流稳流电源E1提供电流,用数字万用表安培档测量IM。IS是霍尔电流,由直流稳压电源E2提供电流,用数字万用表毫安档测量IS,为了保证IS的稳定,电路中加入电阻箱R进行微调。UH是要测的霍尔电压,接入高精度的数字多用表进行测量。

根据原理(2)的说明,在实验中需要消除副效应。实际操作中,依次将IS、IM的开关K1、K2置于()、()、()、()状态并记录Ui即可,其中表示正向接入,表示反向接入。

【实验内容】

1.测量霍尔电流IS和霍尔电压UH的关系

1.1.将霍尔片置于电磁铁靠近中心处(便于稍后测量磁场)

1.2.调节IM=0.598 A,调节R及E2使得IS=2 4 6 8 10 mA,测量并记录霍尔电压UH,每次消除副效应

1.3.更换输入端口,重复1.2的操作

1.4.作出UH-IS图,验证其线性关系

2.测量KH

2.1.保持IS=10 mA IM=0.1 A

2.2.调节IM使其从0.1~1.0A每间隔0.1A分别测量并记录磁场强度B和霍尔电压UH。每次测量旋转探头使得读数最大,以保证探头霍尔片垂直于磁场

2.3.根据原理(1)中给出的线性拟合得到KH

2.4.由得到的KH,根据在不同IM时测得的UH计算B,作出B-IM曲线

3.测量磁场的水平分布

3.1.保持IM =0.6 A IS=10 mA

3.2.读取并记录支架水平标尺读数x和霍尔电压UH

3.3.旋转旋钮,使得霍尔片处于磁场中不同的位置,重复3.2

3.4.根据测得的UH计算B,作出B-x曲线

【实验数据及处理结果】

1.测量霍尔电流IS和霍尔电压UH的关系

表格1 UH-IS关系数据表IM=0.598 A

IS /mA

2.004.006.008.0010.00
U1/mV

8.1316.2224.3332.4440.57
U2/mV

8.1316.2424.4032.5540.76
U3/mV

8.0216.0023.9932.0140.03
U4/mV

8.0116.0224.0532.1340.23
UH/mV

8.0716.1224.1932.2840.40

图3 Uh-Is关系图

拟合结果R2=1 的UH-IS确符合线性关系

2.测量KH

表格2 测量KH数据表IS=10.00mA

IM /A

B/mT

U1 /mV

U2 /mV

U3 /mV

U4 /mV

UH /mV

0.10336.56.997.226.376.696.82
0.19769.613.3013.5312.7813.0013.15
0.298104.920.1020.3319.5719.7819.95
0.397140.826.8327.0526.3526.5626.70
0.501177.533.8634.0833.4333.6533.76
0.598213.540.5040.7240.0440.2540.38
0.700250.547.5547.7847.0947.3147.43
0.802285.554.5154.7354.0554.3054.40
0.903322.861.4261.6560.9361.1561.29
1.002359.668.2568.4867.7067.9068.08
根据原理(1)的公式,对UH–B进行线性拟合

KH=18.99 V/TAR2=0.99996

不考虑仪器带来的误差,则有

其中=0.037 V/TA

KH= (18.990.04) V/TA

图4 Uh-B关系图

表格3 IM-B关系数据表(由KH计算B)

IM/A

0.1030.1970.2980.3970.5010.5980.7000.8020.9031.002
B/mT

35.969.2105140177212249286322358

图5B-Im关系图

B-IM是线性关系

3.磁场的水平分布

表格4 B-IM 关系数据表

x/mm

95.890.685.182.580.179.278.477.477.076.7
UH/mV

4.635.98.1610.2513.815.918.9123.0325.1727.41
B/mT

24.431.142.953.972.683.799.5121132144
76.475.975.674.972.469.365.060.050.045.040.0
30.1832.6134.8737.2439.940.4240.6740.6640.6740.7141.16
158171183196210212214214214214216
图6水平方向磁场分布

【思考题】

1.误差有两个方面。

一是系统误差,是实验中的主要误差:本实验所采用的IS-B换向法已经消去了部分热磁效应UN、UR和不等位电势差U0,但UE不能消去,带来了系统误差,约为UH的5%。其次由于实际条件下,磁场和霍尔元件并不严格垂直,也带了一定系统误差。

二是随机误差,是实验中的次要误差,大多数情况下被系统误差所掩盖。包括但不限于仪器允差。

由带入IS=10 mA eI=0.09 mA UH=68.08 mV eU=0.04 mV KH =18.99 V/TA =0.037 V/TA,得到=2 mTB=(360 mT

2.正如原理(1)图1所示,P型半导体中B沿I-EH构成的右手螺旋方向,N型盘道题中B沿I-EH构成的左手螺旋方向

3.由于是铁磁体,IM=0时仍有剩磁,B0,仍然有霍尔效应,所以UH0

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霍尔效应测量磁场【实验目的】(1)了解霍尔效应的基本原理(2)学习用霍尔效应测量磁场【仪器用具】仪器名参数电阻箱霍尔元件导线SXG-1B毫特斯拉仪(1%+0.2mT)PF66B型数字多用表200mV档(0.03%+2)DH1718D-2型双路跟踪稳压稳流电源0~32V0~2AFluke15B数字万用表电流档(1.5%+3)VictorVC9806+数字万用表200mA档(0.5%+4)【实验原理】(1)霍尔效应法测量磁场原理若将通有电流的导体至于磁场B之中,磁场B(沿着z轴)垂直于电流IS(沿
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