
【实验目的】
(1) 了解霍尔效应的基本原理
(2) 学习用霍尔效应测量磁场
【仪器用具】
| 仪器名 | 参数 |
| 电阻箱 | |
| 霍尔元件 | |
| 导线 | |
| SXG-1B毫特斯拉仪 | (1%+0.2mT) |
| PF66B型数字多用表200 mV档 | (0.03%+2) |
| DH1718D-2型双路跟踪稳压稳流电源 | 0~32V 0~2A |
| Fluke 15B数字万用表电流档 | (1.5%+3) |
| Victor VC9806+数字万用表200mA档 | (0.5%+4) |
(1)霍尔效应法测量磁场原理
若将通有电流的导体至于磁场B之中,磁场B(沿着z轴)垂直于电流IS(沿着x轴)的方向,如图1所示则在导体中垂直于B和IS方向将出现一个横向电位差UH,这个现象称之为霍尔效应。
图 1霍尔效应示意图
若在x方向通以电流IS,在z方向加磁场B,则在y方向A、A′两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场.当载流子所受的横向电场力FE洛伦兹力FB相等时:
此时电荷在样品中不再偏转,霍尔电势差就有这个电场建立起来。
N型样品和P型样品中建立起的电场相反,如图1所示,所以霍尔电势差有不同的符号,由此可以判断霍尔元件的导电类型。
设P型样品的载流子浓度为p,宽度为w,厚度为的d。通过样品电流IS=pqvwd,则空穴速率v=IS/pqwd,有
其中RH=1/pq称为霍尔系数,KH=RH/d=1/pqd称为霍尔元件灵敏度。
(2)霍尔元件的副效应及其消除方法
在实际测量过程中,会伴随一些热磁副效应,这些热磁效应有:
埃廷斯豪森效应:由于霍尔片两端的温度差形成的温差电动势UE
能斯特效应:热流通过霍尔片在其端会产生电动势UN
里吉—勒迪克效应:热流通过霍尔片时两侧会有温度差产生,从而又产生温差电动势UR
除此之外还有由于电极不在同一等势面上引起的不等位电势差U0
为了消除副效应,在操作时我们需要分别改变IH和B的方向,记录4组电势差的数据
当IH正向,B正向时:
当IH负向,B正向时:
当IH负向,B负向时:
当IH正向,B负向时:
取平均值有
(3)测量电路
图 2霍尔效应测量磁场电路图
霍尔效应的实验电路图如图所示。IM是励磁电流,由直流稳流电源E1提供电流,用数字万用表安培档测量IM。IS是霍尔电流,由直流稳压电源E2提供电流,用数字万用表毫安档测量IS,为了保证IS的稳定,电路中加入电阻箱R进行微调。UH是要测的霍尔电压,接入高精度的数字多用表进行测量。
根据原理(2)的说明,在实验中需要消除副效应。实际操作中,依次将IS、IM的开关K1、K2置于()、()、()、()状态并记录Ui即可,其中表示正向接入,表示反向接入。
【实验内容】
1.测量霍尔电流IS和霍尔电压UH的关系
1.1.将霍尔片置于电磁铁靠近中心处(便于稍后测量磁场)
1.2.调节IM=0.598 A,调节R及E2使得IS=2 4 6 8 10 mA,测量并记录霍尔电压UH,每次消除副效应
1.3.更换输入端口,重复1.2的操作
1.4.作出UH-IS图,验证其线性关系
2.测量KH
2.1.保持IS=10 mA IM=0.1 A
2.2.调节IM使其从0.1~1.0A每间隔0.1A分别测量并记录磁场强度B和霍尔电压UH。每次测量旋转探头使得读数最大,以保证探头霍尔片垂直于磁场
2.3.根据原理(1)中给出的线性拟合得到KH
2.4.由得到的KH,根据在不同IM时测得的UH计算B,作出B-IM曲线
3.测量磁场的水平分布
3.1.保持IM =0.6 A IS=10 mA
3.2.读取并记录支架水平标尺读数x和霍尔电压UH
3.3.旋转旋钮,使得霍尔片处于磁场中不同的位置,重复3.2
3.4.根据测得的UH计算B,作出B-x曲线
【实验数据及处理结果】
1.测量霍尔电流IS和霍尔电压UH的关系
表格1 UH-IS关系数据表IM=0.598 A
| IS /mA | 2.00 | 4.00 | 6.00 | 8.00 | 10.00 |
| U1/mV | 8.13 | 16.22 | 24.33 | 32.44 | 40.57 |
| U2/mV | 8.13 | 16.24 | 24.40 | 32.55 | 40.76 |
| U3/mV | 8.02 | 16.00 | 23.99 | 32.01 | 40.03 |
| U4/mV | 8.01 | 16.02 | 24.05 | 32.13 | 40.23 |
| UH/mV | 8.07 | 16.12 | 24.19 | 32.28 | 40.40 |
图3 Uh-Is关系图
拟合结果R2=1 的UH-IS确符合线性关系
2.测量KH
表格2 测量KH数据表IS=10.00mA
| IM /A | B/mT | U1 /mV | U2 /mV | U3 /mV | U4 /mV | UH /mV |
| 0.103 | 36.5 | 6.99 | 7.22 | 6.37 | 6.69 | 6.82 |
| 0.197 | 69.6 | 13.30 | 13.53 | 12.78 | 13.00 | 13.15 |
| 0.298 | 104.9 | 20.10 | 20.33 | 19.57 | 19.78 | 19.95 |
| 0.397 | 140.8 | 26.83 | 27.05 | 26.35 | 26.56 | 26.70 |
| 0.501 | 177.5 | 33.86 | 34.08 | 33.43 | 33.65 | 33.76 |
| 0.598 | 213.5 | 40.50 | 40.72 | 40.04 | 40.25 | 40.38 |
| 0.700 | 250.5 | 47.55 | 47.78 | 47.09 | 47.31 | 47.43 |
| 0.802 | 285.5 | 54.51 | 54.73 | 54.05 | 54.30 | 54.40 |
| 0.903 | 322.8 | 61.42 | 61.65 | 60.93 | 61.15 | 61.29 |
| 1.002 | 359.6 | 68.25 | 68.48 | 67.70 | 67.90 | 68.08 |
KH=18.99 V/TAR2=0.99996
不考虑仪器带来的误差,则有
其中=0.037 V/TA
KH= (18.990.04) V/TA
图4 Uh-B关系图
表格3 IM-B关系数据表(由KH计算B)
| IM/A | 0.103 | 0.197 | 0.298 | 0.397 | 0.501 | 0.598 | 0.700 | 0.802 | 0.903 | 1.002 |
| B/mT | 35.9 | 69.2 | 105 | 140 | 177 | 212 | 249 | 286 | 322 | 358 |
图5B-Im关系图
B-IM是线性关系
3.磁场的水平分布
表格4 B-IM 关系数据表
| x/mm | 95.8 | 90.6 | 85.1 | 82.5 | 80.1 | 79.2 | 78.4 | 77.4 | 77.0 | 76.7 |
| UH/mV | 4.63 | 5.9 | 8.16 | 10.25 | 13.8 | 15.9 | 18.91 | 23.03 | 25.17 | 27.41 |
| B/mT | 24.4 | 31.1 | 42.9 | 53.9 | 72.6 | 83.7 | 99.5 | 121 | 132 | 144 |
| 76.4 | 75.9 | 75.6 | 74.9 | 72.4 | 69.3 | 65.0 | 60.0 | 50.0 | 45.0 | 40.0 |
| 30.18 | 32.61 | 34.87 | 37.24 | 39.9 | 40.42 | 40.67 | 40.66 | 40.67 | 40.71 | 41.16 |
| 158 | 171 | 183 | 196 | 210 | 212 | 214 | 214 | 214 | 214 | 216 |
【思考题】
1.误差有两个方面。
一是系统误差,是实验中的主要误差:本实验所采用的IS-B换向法已经消去了部分热磁效应UN、UR和不等位电势差U0,但UE不能消去,带来了系统误差,约为UH的5%。其次由于实际条件下,磁场和霍尔元件并不严格垂直,也带了一定系统误差。
二是随机误差,是实验中的次要误差,大多数情况下被系统误差所掩盖。包括但不限于仪器允差。
由带入IS=10 mA eI=0.09 mA UH=68.08 mV eU=0.04 mV KH =18.99 V/TA =0.037 V/TA,得到=2 mTB=(360 mT
2.正如原理(1)图1所示,P型半导体中B沿I-EH构成的右手螺旋方向,N型盘道题中B沿I-EH构成的左手螺旋方向
3.由于是铁磁体,IM=0时仍有剩磁,B0,仍然有霍尔效应,所以UH0
