IGBT管、IGBT模块 绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）
| 术语 | 符号 | 定义与说明 （条件请参照各种产品的说明书） | |
| 集电极一发射极间的电压(Collector-Emitter voltage) | VCES | 在门极一发射极之间处于短路状态时，集电极一发射极间能够外加的最大电压 | |
| 门极一发射极间的电压(Gate-Emitter voltage) | VGES | 在集电极一发射极间处于短路状态时，门极一发射极间能够外加的最大电压（通常±20V max.） | |
| 集电极电流(Collector current) | Ic | 集电极的电极上容许的最大直流电流 | |
| Ic pulse | 集电极的电极上容许的最大脉冲电流 | ||
| -Ic | 内置二极管上容许的最大直流正向电流 | ||
| -Ic pulse | 内置二极管上容许的最大脉冲正向电流 | ||
| 最大损耗(Collector power dissipation) | Pc | 每个元件上的IGBT所容许的最大功率损耗 | |
| 结温(Junction temperature) | Tj | 使元件能够连续性工作的最大芯片温度（需要设计成即使在装置中最坏的状态下，也不超出这个值） | |
| 保存温度(Storage temperature) | Tstg | 在电极上不附加电负荷的状态下可以保存或输运的温度范围 | |
| FWD一电流二次方时间积(FWD一I2t) | I2t | 在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳积分值。过电流用商用正弦半波（50、60Hz）一周期来规定。 | |
| FWD一正赂峰值浪涌电流(FWD一IFSM) | IFSM | 在不破坏元件的范围内所允许的一周期以上商用正弦半波（50、60Hz）的电流最大值 | |
| 绝缘强度(Isolation voltage) | ViSO | 在电极全部处于短路状态时，电极与冷却体的安装面间所容许的正弦波电压的最大有效值 | |
| 安装力矩 (Screw torque) | Mounting | 用特定的螺钉将元件和冷却体（散热器）间夹紧时所用的最大力矩值 | |
| Terminal | 用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用的最大力矩值 | ||
IGBT管、IGBT模块 电特性(Electrical characteristics)
| 术语 | 符号 | 定义与说明 （条件请参照各种产品的说明书） | |
| 集电极一发射机间断路电流(Zero gate voltae collector current) | ICES | 门极(下称G)一发射极（下称E）间处于短路的状态时，在集电极（下称C）一E间外加指定的电压时C-E间的漏电流 | |
| 门极一发射极间的漏电流(Gate-emitter leakage current) | IGES | C-E间处于短路状态时，在G-E间外加指定的电压时G-E间的漏电流 | |
| 门极一发射极间的阀值电压(Gate-emitter threshold voltage) | VGE(th) | 处于指定C-E间的电流（下称集电极电流）和C-E间的电压（下称VCE）之间的G-E间的电压（下称VGE）（C-E间有微小电流开始流过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导通时的VGE值的尺度） | |
| 集电极一发射极间的饱和电压(Collector-emitter saturation voltage) | VcE(sat) | 在指定的VGE下，额定集电极电流流过时的VGE值（通常，VGE=15V，计算损耗时重要值） | |
| 静态特性 | 输入电容(Input capacitance) | Cies | C-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时G-E间的电容 |
| 输出电容(Output capacitance) | Coes | G-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时C-E间的电容 | |
| 反向传输电容(Reverse transfer capacitance) | Cres | 在E接地的情况下，G-E间外加指定电压时C-G间的电容 | |
| 二极管正向电压(Forward on voltage) | VF | 在内置二极管中流过指定的正方向电流（通常为额定电流）时的正方向电压（与VCE（SAT）相同，也是计算损耗时的重要值） | |
| 动态特性 | 开通时间 (Turn-on time) | tOn | IGBT开通时，VGE上到0V后，VCE下降到最大值的10%时为止的时间 |
| 上升时间 (Raise time) | tr | IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%时开始，到VCE下降到最大值的10%为止的时间 | |
| tr(i) | IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%时开始，到达到90%为止的时间 | ||
| 关断时间 (Turn-off time) | toff | IGBT关断时，从VGE下降到最大值的90%开始，到集电极电流在下降电流的切线上下降到10%为止的时间 | |
| 下降时间 (Fall time) | tf | IGBT关断时，集电极电流从最大值的90%开始，在下降电流的切线上下降到10%为止的时间 | |
| 反向恢复时间 (Reverse recovery time) | trr | 到内置二极管中的反向恢复电流消失为止所需要的时间 | |
| 反向恢复电流 (Reverse recovery current) | Irr(Irp) | 到内置二极管中正方向电流断路时反方向流动的电流的峰值 | |
| 逆向偏压安全操作区 (Reverse bias safe operation area) | RBSOA | 关断时在指定的条件下，能够使IGBT断路的电流与电压的区域（一旦超出该区域，元件可能遭到破坏） | |
| 门极电阻 (Gate-resistance) | RG | 门极串联电阻值（标准值记载在交换时间测定条件中） | |
| 门极充电电量 (Gate charge capacity) | Qg | 为了使IGBT开通，G—E间充电的电荷量 | |
IGBT管、IGBT模块 热特性（Thermal resist ance characteristics）：
| 术语 | 符号 | 定义与说明 （条件请参照各种产品的说明书） |
| 热阻 (Thermal resistance) | Rth(j-c) | IGBT或内置二极管的芯片与外壳间的热阻 |
| Rth(c-f) | 运用散热绝缘混合剂，在推荐的力距值的条件下，将元件安装到冷却体上时，外壳与冷却体间的热阻 | |
| 外壳温度 (Gase temperature) | Tc | IGBT的外壳温度（通常情况指IGBT或内置二极管正下方的铜基下的温度） |
IGBT管、IGBT模块 热敏电阻的特性（Thermistor characteristics）：
| 术语 | 符号 | 定义与说明 （条件请参照各种产品的说明书） |
| 热敏电阻 (Resistance) | Resistance | 指定温度下热敏电阻端子之间的电阻值 |
| B值 (B value) | B | 表示在电阻-温度特性上任意2个温度间的电阻变化大小的常数 |
| 术语 | 符号 | 定义与说明 （条件请参照各种产品的说明书） |
| 相对漏电起痕指数 (Comparative Tracking Index) | CTI | 材料表面能经受住50滴电解液（0.1%氯化铵水溶液）而没有形成漏电痕迹的最高电压值，单位为V。 |
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