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无机材料科学基础课后习题答案2

来源:动视网 责编:小OO 时间:2025-10-01 17:22:50
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无机材料科学基础课后习题答案2

2-1名词解释:配位数与配位体,同质多晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变,晶体场理论与配位场理论。答:配位数:晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。配位体:晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力、pH值等),结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另一种变体的现象。位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,
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导读2-1名词解释:配位数与配位体,同质多晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变,晶体场理论与配位场理论。答:配位数:晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。配位体:晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力、pH值等),结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另一种变体的现象。位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2-1 名词解释:配位数与配位体,同质多晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变,晶体场理论与配位场理论。

答:配位数:晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。

配位体:晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。

同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力、pH值等),结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。

多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另一种变体的现象。

位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,仅仅使结构发生畸变,原子从原来位置发生少许位移,使次级配位有所改变的一种多晶转变形式。

重建性转变:破坏原有原子间化学键,改变原子最邻近配位数,使晶体结构完全改变原样的一种多晶转变形式。

晶体场理论:认为在晶体结构中,中心阳离子与配位体之间是离子键,不存在电子轨道的重迭,并将配位体作为点电荷来处理的理论。

配位场理论:除了考虑到由配位体所引起的纯静电效应以外,还考虑了共价成键的效应的理论。

       图2-1  MgO晶体中不同晶面的氧离子排布示意图

2-2 面排列密度的定义为:在平面上球体所占的面积分数。

(a)画出MgO(NaCl型)晶体(111)、(110)和(100)晶面上的原子排布图;

(b)计算这三个晶面的面排列密度。

解:MgO晶体中O2-做紧密堆积,Mg2+填充在八面体空隙中。

(a)(111)、(110)和(100)晶面上的氧离子排布情况如图2-1所示。

(b)在面心立方紧密堆积的单位晶胞中, 

(111)面:面排列密度= 

(110)面:面排列密度= 

(100)面:面排列密度= 

 

2-3 试证明等径球体六方紧密堆积的六方晶胞的轴比c/a≈1.633。

 

证明:六方紧密堆积的晶胞中,a轴上两个球直接相邻,a0=2r;c轴方向上,中间的一个球分别与上、下

各三个球紧密接触,形成四面体,如图2-2所示:

图2-2 六方紧密堆积晶胞中 有关尺寸关系示意图

 

2-4 设原子半径为R,试计算体心立方堆积结构的(100)、(110)、(111)面的面排列密度和晶面族的面间距。

解:在体心立方堆积结构中: 

(100)面:面排列密度= 

面间距= 

(110)面:面排列密度= 

面间距= 

(111)面:面排列密度= 

面间距= 

2-5 以NaCl晶胞为例,试说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量。

答:以NaCl晶胞中(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,它的正下方有1个八面体空隙(体心位置),与其对称,正上方也有1个八面体空隙;前后左右各有1个八面体空隙(棱心位置)。所以共有6个八面体空隙与其直接相邻,由于每个八面体空隙由6个球构成,所以属于这个球的八面体空隙数为6×1/6=1。

在这个晶胞中,这个球还与另外2个面心、1个顶角上的球构成4个四面体空隙(即1/8小立方体的体心位置);由于对称性,在上面的晶胞中,也有4个四面体空隙由这个参与构成。所以共有8个四面体空隙与其直接相邻,由于每个四面体空隙由4个球构成,所以属于这个球的四面体空隙数为8×1/4=2。

2-6 临界半径比的定义是:紧密堆积的阴离子恰好互相接触,并与中心的阳离子也恰好接触的条件下,阳离子半径与阴离子半径之比。即每种配位体的阳、阴离子半径比的下限。计算下列配位的临界半径比:(a)立方体配位;(b)八面体配位;(c)四面体配位;(d)三角形配位。

 

解:(1)立方体配位

在立方体的对角线上正、负离子相互接触,在立方体的棱上两个负离子相互接触。因此:

(2)八面体配位

在八面体中,中心对称的一对阴离子中心连线上正、负离子相互接触,棱上两个负离子相互接触。因此:

(3)四面体配位

在四面体中中心正离子与四个负离子直接接触,四个负离子之间相互接触(中心角 )。因此:

底面上对角中心线长为: 

(4)三角体配位

在三角体中,在同一个平面上中心正离子与三个负离子直接接触,三个负离子之间相互接触。因此:

2-7 一个面心立方紧密堆积的金属晶体,其原子量为M,密度是8.94g/cm3。试计算其晶格常数和原子间距。

 

解:根据密度定义,晶格常数

原子间距= 

2-8 试根据原子半径R计算面心立方晶胞、六方晶胞、体心立方晶胞的体积。

 

解:面心立方晶胞: 

六方晶胞(1/3): 

体心立方晶胞: 

2-9 MgO具有NaCl结构。根据O2-半径为0.140nm和Mg2+半径为0.072nm,计算球状离子所占据的体积分数和计算MgO的密度。并说明为什么其体积分数小于74.05%?

解:在MgO晶体中,正负离子直接相邻,a0=2(r++r-)=0.424(nm)

体积分数=4×(4π/3)×(0.143+0.0723)/0.4243=68.52%

密度=4×(24.3+16)/[6.023×1023×(0.424×10-7)3]=3.5112(g/cm3)

MgO体积分数小于74.05%,原因在于r+/r-=0.072/0.14=0.4235>0.414,正负离子紧密接触,而负离子之间不直接接触,即正离子将负离子形成的八面体空隙撑开了,负离子不再是紧密堆积,所以其体积分数小于等径球体紧密堆积的体积分数74.05%。

 

2-10 半径为R的球,相互接触排列成体心立方结构,试计算能填入其空隙中的最大小球半径r。体心立方结构晶胞中最大的空隙的坐标为(0,1/2,1/4)。

解:在体心立方结构中,同样存在八面体和四面体空隙,但是其形状、大小和位置与面心立方紧密堆积略有不同(如图2-3所示)。

设:大球半径为R,小球半径为r。则位于立方体面心、棱心位置的八面体空隙能够填充的最大的小球尺寸为:

位于立方体(0.5,0.25,0)位置的四面体空隙能够填充的最大的小球尺寸为:

 

2-11 纯铁在912℃由体心立方结构转变成面心立方,体积随之减小1.06%。根据面心立方结构的原子半径R面心计算体心立方结构的原子半径R体心。

解:因为面心立方结构中,单位晶胞4个原子, ;而体心立方结构中,单位晶胞2个原子, 

所以, 

解得:RF=1.0251RI,或RI=0.9755RF

 

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无机材料科学基础课后习题答案2

2-1名词解释:配位数与配位体,同质多晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变,晶体场理论与配位场理论。答:配位数:晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。配位体:晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力、pH值等),结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另一种变体的现象。位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,
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