
试卷编号: ( )卷
电磁场与电磁波 课程 课程类别:必、限、任
闭卷()、开卷(范围)(√): 考试日期:
| 题号 | 一 | 二 | 三 | 四 | 五 | 六 | 七 | 八 | 九 | 十 | 总分 | 累分人签名 |
| 题分 | 100 | |||||||||||
| 得分 |
2、考试结束后,考生不得将试卷、答题纸和草稿纸带出考场。
| 得分 | 评阅人 |
1.求标量场在点P(2,1,1)处的最大变化率值及__1___沿的方向导数_______2______。
2.导体是___3___体,导体内部电场为___4__,任意两个导体可构成一个___5__。
3.简单媒质中,电场强度E与电位移矢量D的关系式为 6 ,这种关系被称为 7 。其中,介电常数与相对介电常数的关系是: 8 。()的介质是 9 (A.有耗,B.无耗)介质,其相对介电常数是 10 ,电导率是 11 。自然界中几乎不存在简单媒质,因为 12 。
4.Maxwell方程组由 13 个方程组成,其中, 14 个方程是的,它适用的频率范围是 15 。描述静电场的Maxwell方程组只有 16 个方程,因为 17 。
5.研究电路中的电压与电流的关系一般可用 18 的方程进行分析,但当电路尺寸与波长可比拟时则必须使用 19 方程。
6.同轴线的介质层中的电场强度总是沿 20 方向,磁场强度沿 21 方向。
7.工作频率为2.4GHz的WLAN信号在的理想介质中传输时,频率为 22 ,传播速度为 23 。
8.如果矢量场所在的空间中,,则这种场中不可能存在________,如果矢量场所在的空间中,,则这种场中不可能存在________。
9.,= 26 ,= 27 。
10.求解曲面座标系矢量运算: 28 。
11.简单导电媒质中,任意点的电流密度J与该点电场强度的关系是_______29 ,其中, 30 不是由电荷运动产生的。
二、选择题(每题 2 分,共 30 分)
| 得分 | 评阅人 |
A、μrμ0 B、1/μrμ0 C、μr D、1/μr
2. 在静电场中有一带电的导体实心球,其球心和球外表面上一点的电位______________,此两点的电场强度______________。( )
A.不相等/相等 B.不相等/不相等
C.相等/相等 D.相等/不相等
3. 入射波频率为时,物理尺寸为的矩形腔的电尺寸是:
A. B. C. D.
4. 下列对磁力线和电力线描述正确的是( )。
A.磁力线和电力线都是封闭的
B.磁力线是封闭的,电力线是不封闭的
C.磁力线和电力线都不是封闭的
D.电力线封闭,磁力线不封闭
5. 电容器的大小( )。
A. 与导体的形状有关 B. 与导体的电压有关
C. 与导体所带的电荷有关 D. 与导体的电荷和电压都有关
6. 在贴片天线中,贴片满足的边界条件是:
A.法向电场为零 B.切向电场为零
C.法向电场连续 D.切向电场连续
7. 假设某介质表面的法向为,位于介质表面上的某点的电场强度为,则它的切向电场强度为:
A. B. C. D.
8. 坡印廷矢量的方向表示________方向。( )
A. 电场 B. 磁场 C. 能流 D. 坐标
9.根据唯一性定理,在计算时变电磁场时必须满足:
A.给定边界上的
B.给定边界上的
C.给定一部分边界的和其余部份的
D.给定一部分边界的和其余部份的
10. 静电场中的理想导体半掩埋于理想介质()中时,围绕导体的任意球面上的电场强度为:
A.上半空间的电场比下半空间的电场大
B.上半空间的电场比下半空间的电场小
C.电场大小与掩埋深度有关
D.电场大小与掩埋深度无关
11. 在一个静电场中,良导体表面的电场方向与导体该点的法向方向的关系是( )。
A. 平行 B. 垂直
C. 既不平行也不垂直 D. 不能确定
12. 以下矢量,可用于描述磁场的是( )。
A. B. C. D.
13. 导体在交变的电场中,其体内电荷密度( )
A.为常数 B. 为零 C.不为零 D. 前三种均不对
14.以下介电常数中,用于描述各向同性材料的是:
A. B. C. D.
15. 当导体劈的劈角为镜像电荷数=____。
A. 10 B. 11 C. 12 D. 13
二.判断题(10分,每题2分)
| 得分 | 评阅人 |
2.电容的大小与电压、电量、尺寸、介电常数、结构、导体间的距离有关( );
3.自然界中任何介质,都满足,( );
4.导线中的电流只在导线表面流动,这种现象被称为趋肤效应( );
5.分离变量法可用于解析地求解直角坐标、圆柱坐标、球坐标等11种坐标系下的波动方程( );
| 得分 | 评阅人 |
1.如图1所示,随机粗糙面的高度起伏满足,其中,x,y为0-1之间的随机数,请计算该粗糙面上一个面元中心为A(0.1,0.6,0.5)的面元的法向。
图1
2. 如图2所示,两个导体球构成电容器,导体球的半径分别为a,b,分别带电荷总量为Q和-Q,距离为d,(d>>a,b),P点为导体球中的某一点,P点距离两个导体球心的距离分别为R1,R2。求:(1)P点的电场强度;(2)P点的电势;(3)两个导体球所构成的电容C;
图2
3.如图3所示,一导体劈的劈角为直角,,角区域内处有一点电荷q,设。
(1)该点电荷有几个镜像电荷?它们的电量分别是多少?
(2)计算出点的电位值。
(3)请在图中画出镜像电荷的位置(画在答题纸上)。
图3
