手机设计PCB LAYOUT 注意事项

根据总体设计阶段的PCB工艺分析和Hi3611 PINMAP评估结

果，从主要芯片 的封装和出线率、单板有器件正反对贴及成

本等方面考虑，PCB工艺设计建议如下：

•采用HDI埋盲孔工艺，参考设计单板选择一阶8/10层HDI板作为首选 PCB设计方案。

•Hi3611和NXP基带芯片PNX5209的BGA Fanout要求3mil线宽/3mil间距的 

•  特 殊工艺。

•盲孔最小孔径5mil，盘径12mil；

•埋孔最小孔径8mil，盘径20mil，

•过孔最小间距为3mil。

BUCK电路设计注意事项： 

•􀁺 BUCK的参考地上会有较多的开关噪声，因此参考地不适宜和敏感信号的参考地（如  音频地）直接相连。设计中 BUCK的参考地PGND和输出电容应该就近接到主地平面。 

•     两路BUCK的储能电感之间要注意磁性线圈的互感。如果两个储能电感位置较近，需要使两个线圈的绕线方向处于正交的关系，绝对不可以使线圈绕线方向平行。 

•     BUCK1、BUCK2从电容端返回芯片管脚VO的反馈信号，其电流较小，如布线空间紧张可以采用4mil的细线互连。 但BUCK3的反馈信号还作为Hi3611内部局部模块供电使用，需采用8mil～10mil的线宽。反馈信号走线应尽量短，而且不能从电感下方穿过。 

•     BUCK输出到电感储能端以及供电干路的线宽必须保证在20mil以上。 

LDO的设计注意事项：

•     LDO的输出电容应尽可能靠近电源输出管脚。 

•     LDO电源线宽度要严格满足电流能力的要求。 

充电电路设计注意事项：

•􀁺充电接口和USB接口复用，VBUS接口信号需要能够达到–0.3V～+12.5V的耐压能力，!10kV的静电防护能力，在防护器件的选用上需要注意和以上电气参数需求匹配。 

•􀁺 主电流路径过流能力要保证1A以上，因此线宽必须保证60mil以上。考虑到散热需求，建议通过平面铺铜处理。 

•􀁺 充电MOS管是整个充电电路中发热量最大的器件。选型时要确保其直流耗散功率大于2W。快充时，布局时需注意使温度敏感电路远离该MOS管，如时钟振荡电路等等。 

•􀁺 充电电流的检测通过精密电阻两端的信号VBUS和VSN差分来实现。VBUS同时作为USB PHY的电源，其电流需求约为7mA。从精密电阻两端引出的VBUS和VSN信号需按照差分线的规则布线。

时钟PCB设计需要注意： 

• 晶体振荡电路的器件布局应尽量靠近Hi3611芯片。 

• 晶体的输入输出信号为模拟信号，信号较弱，如空间允许，振荡外围电路

    周围尽量设置40mil宽度以上的包地保护。 

• 晶体振荡电路的相关区域，包括晶体器件、负载电容和时钟走线与其他层

    的信号之间必须有完整的地平面隔离。 

    图为晶体振荡外围电路的参考布局图，走线在表层实现，晶体以及走线区  

    域包地处理，第二层PCB在相同的区域铺地。

•数字时钟，不要跨平面并远离模拟信号和音频信号

•差分线走线要注意间距和差分线长度偏差的控制。 

• GSM射频信号线，除IQ信号外阻抗要求50ohm，表层走线，第二层挖空。第三

   层需要完整 的大面积的GND。射频走线附近全部用GND孔包住，不允许有任

   何走线。

• 信号时序走线注意等长的控制

• 音频差分走线，避免和高速线平行；避免靠近电源线和射频线；两侧均包地， 

  且地线宽度要尽量大于20mil；音频线的上下层尽量为地层；音频差分线平行等

  长，中间无其它走线；不需要阻抗控制。