华为电子材料上机考试笔试题目20200001

1.不易与胶粘剂形成化学键粘结的是

A.PTFE

B.PC

C.PA

D.PBT

2.金属冷却结晶时

A.理论结晶温度大于实际结晶温度

B.理论结晶温度小于实际结晶温度

C.理论结晶温度和实际结晶温度没关系

3.逆扩散现象

A.二次结晶

B.晶界杂质聚集

C.布朗运动

4.以下非纳米材料特有的性质是：D

A.量子隧穿效应

B.表面效应

C.小尺寸效应

D.柯肯达尔效应

E.量子限域效应

5.Fe焊缝晶体形态主要是柱状晶和等轴晶：A

A.正确

B.错误

6.固体表面能越大，液体越容易润湿：B

A.正确

B.错误

7.以下属于物理键的是：B

A.氢键

B.范德华力

C.离子键

D.共价键

8.交变荷载作用下，抵抗破坏能力的概念

A.疲劳强度

B.屈服强度

难烧结

13.使用DSC、TMA、DMA测试材料的Tg点相差不超过2度 正确or错误

14.相图表示（）下材料的相状态与温度、成分之间的关系

A.常压

B.平衡

C.

15.范特荷夫规则，纯固相反应，其过程是

A.放热反应

B.吸热反应

C.等温

16.沉淀的生成、溶解和转化的条件是什么

17.

多选题（4分/题，合计5题）

1.请问润湿角满足什么条件，被视作疏水：（CDE）

A. > 30° B. > 60° C. > 90° D. >

120° E. > 150°

2.材料的磁性按照磁化程度分类：(ABCDE)

A.顺磁性

B.抗磁性

C.铁磁性

D.亚铁磁性

E.反磁性

3.材料结晶的必要条件：(ABCD)

A.过冷；

B.结构起伏；

C.能量起伏；

D.成分起伏(合金)

4.细化材料铸态晶粒的措施：(ABC)

A.提高过冷度

B.变质处理

C.振动与搅拌

D.提咼温度

判断

1、    Fe-C相图’Fe3C是最稳定的富碳相。    错误

2、    在二元合金系中.只有共晶成分的合金在结晶时才能发生共品转变.其他任何成分的合

金在结晶时都不可能发生共晶转变，    错误

3、    从热力学上看.系统的熔是由原子间的键合决定，炳是由晶体的原子排列决定。

4、    塑性变形时，滑移面总是晶体的密排面，滑移方向也总是密排方向。

5、    材料的硬度越大.其弹性犊量也越大

6、    PTFE根据聚合方法的不同可分为悬浮聚合和分散聚合，前者使用与模压成型和挤压成型, 后者制成的乳液可作为金属表面涂层

7、    固溶体或合金的强度高于纯金属•主要原因是杂质原子的存在对位错运动具有產制作用 正確

8、    lwt%二氧化钛掺入到氧化铝中，是否有利于隆低氧化铝陶瓷的烧结温度

9、    Fo合金的焊缝晶体形态主要是柱状晶和少量的等轻晶。    正礎

10、    挛生是晶体难以进行滑移时.而进行的另外一种塑性变形方式：

11、    一般情况下，同一种材料使用DSC、TMA. DMA测试出材料Tg点相差不会超过2度。

12、    相图是材料工作者常用的工具之一・其常用来表示材料的相状态与温度和成分之间的关

系，其不仅能表示相的平衡态，而且能反应相的亚稳态。    正确

13、    按照聚合物和单体元素组成和结构变化，可将聚合反应分成加成聚合反应和缩合聚合反 应两大类。

答案供参考：

1.错误

2.错误

3.正确

4.正确

5.错误

6.正确

7.正确

8.正确

9.正确

10.正确

11.错误

12.正确

13.正确

选择

1、    能进行交滑移的位错必然是：

躱旋位错    混合位错    刀型位错

2、    Db、Ds、DI分别代表金属或合金中的晶界扩散、表面扩散、点阵扩散的扩散系数，一般 情况下.有：Ds > Db >DI

3、    二氧化错陶瓷可以用做氧气气氛下的炉体加热元件，但需要将氧化错陶瓷加热到1000C0 以上，这是因为？

产生明显的离子电导増加热膨胀量    防止相变发生

4、    以下三种界面作用力最大的是：

氢键范徳华力静电 化学犍

5、    以下化学键，键长最短的是：

配位键氢键 离子縫 共价键

6、    烧结过程分下述几个阶段，正碓顺序是：（1）无规则形状颗粒表面趋圆（2）颗粒之间颈

缩（3）颈部加宽（4）晶粒生长

7、    丙烯酸酯型材料不能通过以下哪种方式固化：

UV固化 湿气固化    双组份室温固化    加热固化

8、    用耒反映材料在交变载荷作用下，抵抗破坏能力的物理概念是：

抗拉强度    疲劳强度    硬度    屈服热度

9、    每个体心立方晶胞中包含有（2）个原子：

10、    以下场景可以使用厌氧胶粘接的是：

塑胶支架对接    玻璃与PC粘接 PC与PC粘接 金属螺钉锁固

11、    烧结中晶界移动的推动力是：

晶界两侧自由熔差 空位浓度差 自由能

答案供参考：

1.螺旋位错

2.表面〉晶界〉点阵扩散

3.产生离子电导

4.化学键

5.离子键

6.

6.湿气固化

7.疲劳强度

8.2

9.金属螺钉

10.晶界两侧口由熔差

12、    拉伸试样的直径一定，标距越长则测出的断面收缩率会：

越低 不变    无规律可循    越高

13.CuSi合金中hep富Si相的(111)面与fee富Cu相的(0001)面的点阵常数相等，它 们可以形成：

半共格界面    非共格界面    K-S关系的界面完全共格界面

24、分体颗粒表面不同部位应力不同，其空位形成所需能呈大小关系哪一项正碓？ 无应力 ＜张应力＜压应力？

15、    陶瓷经烧结后在宏观上的表达表述不正确的是？

体积收缩 气孔率降低    致密度减小    理度増加

16、    下列哪类材料随巷温度升高电导率降低？

氧化铝 空气 碳化硅 金属铝

17、    下列过程中.哪一个能使烧结体的强度增加而不引起胚体收缩？

体积扩散 流动传质    溶解-沉淀 蒸发-凝聚

18、    形变后的材料再升温.发生回复和再结晶现象.则点缺陷浓度下隆明显发生在：C

A再结晶阶段    B晶粒长大阶段    C回复阶段

答案供参考：

11.不变

12.完全共格

14.

13.致密度下降

14.金属铝

15.溶解-沉淀

16.回复阶段

19、    据范特荷夫规则，纯固相反应，反应过程是?

放热反应 等温过程    吸热过程

20、    用来反应材料在交变荷载作用下，抵抗破坏能力的物理概念是：

疲劳强度    屈服强度    硬度    抗拉强度

21、    下述措施哪一项对増加介质陶瓷元件击穿强度不利？

増加陶瓷元件面积减少陶瓷内部杂质缺陷    増加陶瓷致密度减小陶瓷介质厚度

22、    产生枝晶偏析的原因是：

液固相线间距大•冷却缓慢    液固相线间距很小，冷却缓慢

液固相线间距大，冷却速度也大    液固相线间距很小.冷却速度大

23、    下列哪一种表征设备不能用来分析陶瓷材料的元素成分？

XPS EDS XRD XRF

24、    应力应变

25、    涤纶是哪一类聚合物

26、    金属材料的晶粒尺寸越细，金属强度、玦度越高.塑性、韧性越好：

17.放热反应

18.疲劳强度

19.减少陶瓷介质厚度

20.液固相线间距大，冷却缓慢

21.XRD

24.

25.

22.正确

多选

1、    影响固体材料扩散的因素有哪些？

A化学键B杂质 C温度 D结构缺陷E晶体组成及结构

2、    影响固相反应的因素有哪些？

A反应物颗粒尺扌及分布    B反应温度、压力及气氛 C矿化剂

D反应物化学组成与结构

3、    以下元素分析手段，适用于进行表面有机污染物分析的为：

A TOF-SIMS B EDS C XPS D EPMA

4、    正火的主要作用有

A作为普通结构零件或大型及形状复杂零件的最终热处理

B作为中碳钢和低合金结构钢重要零件的预备热处理

C消除过工析钢中的网状二次渗碳体

D改善低碳钢和低碳合金钢的切削加工性能

5、    分析红外光谱时，辨别官能团类型可以依靠以下哪些信息？

A峰型 B峰位置 C半峰宽 D峰高比例

答案供参考：

1.ACDE

2.ABCD

3.ABCD

4.ABCD

5.ABCD&