《模拟电子技术基础》习题 (3)

一、计算题

1、如图所示是一个基本共射极放大电路，设晶体管 β=100 ，UBE =0.2V ，rbe =1.44kΩ ，RB=470KΩ，RC=3KΩ，RL=3KΩ，VCC=10V。 

（1）该电路是共射还是共集电路？（2分）

（1）画出放大电路的直流通路，并且估算静态工作点I BQ、I CQ和UCEQ ；（8分） 

（2）画出放大电路微变等效电路，求电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻RO；（10分）

二、选择题（）

1、P型半导体中多数载流子是________，少数载流子是________。

A、自由电子  正离子  B、空穴  负离子

C、空穴  自由电子    D、自由电子  空穴

2、半导体三极管是一种________器件。

A、电流控制电流  B、电流控制电压  C、电压控制电压  D、电压控制电流

3、当二极管两端正向偏置电压大于________时，二极管才能导通。

A、反向击穿电压  B、饱和电压  C、正向导通压降  D、门坎电压

4、如图所示电路中，二极管D所处的状态是________。

A、击穿状态  B、截止状态  C、导通状态  D、无法确定

5、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是________。

A、D1、D2均截止       B、D1、D2均导通

C、D1导通、D2截止     D、D2导通、D1截止

6、杂质半导体中，少子的浓度与________有关。

A、晶体缺陷     B、掺杂工艺     C、杂质浓度    D、温度

7、某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，测出，由此可知对应电极②是________。

A、发射极     B、基极      C、集电极      D、不能确定

8、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为________。

A、放大状态   B、饱和状态    C、截止状态   D、击穿状态

9、两个稳压二极管的稳压值分别为7V和9V，将它们组成如图所示电路，设输入电压 U1值是20V，则输出电压 U0为________。

A、7V     B、9V       C、0V       D、8V

10、晶体管具有放大作用的外部条件是________。

A、发射结正偏，集电结正偏     B、发射结反偏，集电结反偏

C、发射结反偏，集电结正偏     D、发射结正偏，集电结反偏

11、测量放大电路某三极管的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为________。

A、PNP 锗三极管    B、PNP 硅三极管   C、NPN 锗三极管   D、NPN 硅三极管

12、电路符号如图所示，它是________。

A、N沟道增强型绝缘栅场效应管     B、N沟道耗尽型绝缘栅场效应管

C、P沟道增强型绝缘栅场效应管     D、P沟道耗尽型绝缘栅场效应管

13、场效应管的三个电极分别是：（1）发射极；（2）栅极；（3）源极；（4）漏极。

A、（1）（2）（3）   B、（1）（3）（4）  C、（2）（3）（4）  D、（1）（2）（4）

14、场效应管的转移特性如图所示，则该场效应管的类型为________。

A、N沟道增强型绝缘栅场效应管    B、P沟道增强型绝缘栅场效应管

C、N沟道结型场效应管            D、P沟到耗尽型绝缘栅场效应管

15、如第14题图中，VGS＝＋5V为________。

A、开启电压     B、击穿电压    C、夹断电压     D、门坎电压

16、P沟道耗尽型MOS管中，外加电压VDS的极性为________。 

A、正       B、负         C、可正可负      D、总是等于零

16、结型场效应管利用栅源极间所加的________来改变导电沟道的电阻。 

A、反偏电压       B、反向电流        C、正偏电压       D、正向电流

17、某晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为________mA。

A、0.98       B、1.02          C、0.8         D、1.2

18、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是________。

A、IB=IC+IE      B、IC=IB+IE     C、IE=IB+IC      D、IB=IC-IE

19、二极管两端反向偏置电压增高时，在达到________电压以前，通过的电流很小

A、死区        B、最大        C、短路        D、击穿

20、饱和失真是由于静态工作点设置过________而产生的；截止失真是由于静态工作点设置过________而产生的。

A、高  高       B、低  高      C、高  低       D、低  低

21、某一NPN管组成的单管共射放大电路，输入电压为正弦波时，输出电压波形如图所示，该输出电压波形属于________。

A、截止失真      B、饱和失真    C、频率失真     D、交越失真

22、多级放大电路与其中每一级相比，频带________。

A、变宽        B、变窄        C、基本不变

23、在三种组态的放大电路中既能够放大电流，又能够放大电压的是________。

A、共基极放大电路       B、共集电极放大电路    

C、共发射极放大电路     D、射极输出器

24、放大器的输出电阻________负载电阻。

A、不包含        B、包含        

25、二极管的最高反向工作电压是50V，则它的击穿电压是________。

A、50V        B、100V        C、150V        D、200V

26、差模输入信号是差动放大电路两个输入端信号的________。

A、和      B、差      C、比值      D、平均值

27、功率放大电路的作用是________。 

A、放大微弱的电压信号        B、放大微弱的电流信号

C、在允许的失真范围内，使负载得到尽可能大的输出功率。

28、有关运算放大器“虚短”和“虚断”的概念，完全正确的说法是：

A、        B、

C、     D、

29、若在输出特性曲线上做出直流负载线MN如图所示，则M点和N点的值分别为________。

A、9mA  6V      B、12V    3mA     C、6V     9mA      D、3mA   12V

30、直流负载线MN的斜率是________。

A、      B、       C、     D、

31、若在输出特性曲线上做出交流负载线，则其斜率应为________。

A、     B、     C、     D、

32、若增大基极偏置电阻Rb，则输出信号会出现________。

A、饱和失真     B、截止失真    C、交越失真    D、线性失真

三极管放大电路如图所示，请选择33～35题答案。

33、该三极管放大电路的名称，以下说法不正确的是________。

A、共集电极放大电路  B、射极输出器  C、电压跟随器  D、共发射极放大电路

34、该放大电路的电压放大倍数和输入输出相位关系，正确的说法是________。

A、电压放大倍数为，且输出信号与输入信号相位相反

B、电压放大倍数为，且输出信号与输入信号同相位

C、电压放大倍数约为1，且输出信号与输入信号同相位

D、电压放大倍数约为-1，且输出信号与输入信号相位相反

35、该放大电路的输入电阻________，输出电阻________，多用于输入级、输出级或缓冲级。

A、高   高      B、高   低     C、低   高       D、低   低

36、利用场效应管构成放大电路完成放大功能时，选择场效应管工作在________。

A、恒流区     B、可变电阻区       C、夹断区       D、击穿区

37、理想运算放大器的条件中，错误的是：

A、开环电压放大倍数     B、输入电阻

C、输出电阻                 D、共模抑制比

38、一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为________。

A、0dB       B、60dB        C、80dB        D、800dB

39、为了克服零点漂移，通常采用下列哪种电路？

A、共基极放大电路       B、共集电极放大电路     

C、共发射极放大电路     D、差动放大电路

40、对功率放大器的主要要求是：

（1）足够的输出功率；（2）非线性失真小；

（3）效率高；        （4）输出电阻小。以上正确的说法是：

A、（1）（2）          B、（2）（3）  

C、（1）（2）（3）        D、（1）（2）（3）（4）

41、集成运放的耦合方式是________。

A、阻容耦合    B、变压器耦合    C、直接耦合

42、多级放大器的输出电阻等于________。

A、各级放大器输出电阻的串联   B、各级放大器输入电阻的串联

C、第一级放大器的输出电阻    D、最末一级放大器的输出电阻

43、放大电路为减少非线性失真，应适当引入________。

A、直流负反馈；  B、交流负反馈；  C、交流正反馈；   D、直流正反馈。

44、如果希望负载变化时输出电流稳定，则应引入________负反馈。

A、电压    B、电流     C、串联     D、并联

45、电压跟随器是________负反馈。

A、电压串联   B、电压并联    C、电流串联     D、电流并联

46、要使放大器向信号源索取的电流小，同时带负载能力大，应引入________负反馈。

A、电压串联    B、电压并联   C、电流串联    D、电流并联

47、如图所示电路中，R2中引入了________反馈。

A、电压串联负反馈       B、电压并联负反馈  

C、电流串联负反馈       D、电流并联负反馈

48、引入________负反馈后，将使放大器的输出电阻增大，输入电阻减小。

A、电压串联    B、电压并联    C、电流串联   D、电流并联

49、如图所示的电路，R5引入的反馈类型为________负反馈。

A、电流串联负反馈       B、电压并联正反馈

C、电压串联负反馈       D、电流并联正反馈

50、如图所示电路，Rf引入的反馈类型为________。

A、交直流电压并联负反馈     B、交直流电流并联负反馈

C、交流电压串联负反馈       D、交流电流并联负反馈

51、如第50题图所示电路，R1引入的反馈类型为________。

A、交流电压串联负反馈       B、直流电流并联负反馈

C、交直流电流并联负反馈     D、交直流电压并联负反馈

52、若反馈深度＝1，则放大电路工作于________状态。

A、正反馈     B、负反馈   C、自激振荡   D、无反馈

53、若反馈深度＝0，则放大电路工作于________状态。

A、正反馈    B、负反馈    C、自激振荡    D、无反馈

54、已知负反馈放大器的＝300，＝0.01，则闭环增益应为________。

A、3      B、4     C、75      D、100

55、集成运算放大器工作在非线性状态特点有________。

A、虚短     B、      C、     D、虚断

56、如图所示的理想运算放大器电路工作在________。

A、线性区域    B、非线性区域    C、U＋＝U－＝0状态    D、I＋＝I－≠0状态

57、集成运放应用于信号运算时工作在________区域

A、非线性区       B、线性区    C、放大区     D、截止区

58、________比例运算电路的输入电阻低。

A、同相；    B、反相；    C、同相与反相

59、欲实现的放大电路，应选用________运算电路。

A、反相比例；   B、同相比例；  C、积分；  D、微分。

60、如图所示运算放大器电路，则＝________。

A、    B、    C、   D、

61、如图所示电路，Uo=________。

A、2V       B、4V       C、6V        D、10V

62、如图所示电路，若理想集成运放最大输出电压幅值为±12V， >0，若将R3断开，则=________。

A、+12V    B、-12V      C、0V     D、∞

63、由理想集成运算放大器构成的比例运算电路，电路的增益与运放本身的参数________。

A、有关     B、无关     C、不确定

、满足“虚地”条件的是________比例运算电路。

A、同相      B、反相     C、同相与反相

65、如图所示电路，Uo=________。

A、2V       B、4V       C、6V        D、10V

66、如图所示电路，该理想集成运算放大器最大输出电压幅值为±12V，双向限幅稳压管的稳定电压为UZ=±6V，当输入电压＝1V时， =________。

A、+12V        B、-12V    C、+6V    D、-6V

67、如图所示电路，Uo =________

A、2V        B、4V        C、6V       D、0V

68、有用信号的频率是20HZ～1KHZ，则应该选用________滤波电路。

A、高通     B、低通      C、带通     D、带阻

69、希望抑制1MHZ以下的信号，则应该选用________滤波电路。

A、高通      B、低通      C、带通     D、带阻

70、功率放大器产生非线性失真的根本原因是________。

A、晶体管参数的非线性   B、输入信号变化   C、静态工作点偏离中点

71、下列不属于半导体特性的是

A、半导体中有两种载流子参与导电

B、半导体的导电性能随温度、光照发生变化

C、半导体的原子最外层存在价电子

D、掺入杂质可以改变半导体的导电性能

72、下列关于本征半导体说法错误的是

A、热激发产生空穴

B、热激发产生自由电子，导致半导体带负电

C、自由电子、空穴数目相等

D、电子空穴对越多，复合的概率也越大

73、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将________。

A、减小     B、增大     

C、不变     D、不能确定

74、由运算放大器构成的应用电路：直流放大器、微分器、低通滤波器、电压比较器中，运算放大器工作在线性状态的有________种。

A、4    B、3    C、2    D、1

75、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是________。

A、IB=IC+IE     B、IC=IB+IE      

C、IE=IB+IC     D、无法确定

76、基本共射、共集放大电路，输入电阻Ri与负载电阻RL之间的关系，正确的是

A、共射放大电路中，Ri与RL相关

B、共集放大电路中，Ri与RL相关

C、都相关

D、都无关

77、关于基本放大电路，下列说法错误的是

A、输入电阻不够大

B、输出电阻不够小

C、电压放大功能差

D、温度稳定性差

如图所示晶体三极管放大电路，完成第78～80题选择答案。

78、关于该放大电路，下列说法错误的是

A、为共射放大电路

B、为共集放大电路

C、为分压式偏置稳定电路

D、静态工作点稳定性较好

79、要求解该电路的静态工作点，需先求解

A、IB   B、IC    C、IE     D、UB

80、该电路的电压放大倍数Au为

A、    B、

C、      D、

81、关于负反馈对放大电路性能的影响，下列说法错误的是

A、降低放大倍数

B、减小非线性失真

C、展宽频带

D、使输入电阻提高

82、关于电路性能对负反馈效果的影响，下列说法正确的是

A、电压负反馈，负载越大，反馈效果越好

B、电流负反馈，负载越大，反馈效果越好

C、串联负反馈适用于信号源内阻大的场合

D、并联负反馈适用于信号源内阻小的场合

83、频率200M Hz、电流20mA的信号要通过二极管，可选用二极管为

A、点接触型       B、面接触型

C、以上两者都可

84、二极管外加正向电压时，其电阻性表现为

A、不随电压变化，为定值

B、随电压增加而减小

C、随电压增加而增加

85、关于稳压二极管，下列说法错误的是

A、稳压二极管工作在反向击穿区

B、稳定电压UZ为反向击穿电压

C、稳定电流只规定最大值

D、动态电阻越小，稳压性能越好

86、关于多级放大电路，下列说法错误的是________。

A、多级放大电路的前一级输出信号，可以看成是后一级的输入信号

B、多级放大电路的输入电阻为从第一级看进去的输入电阻

C、后一级的输入电阻是前一级的负载电阻

D、因为级数较多，多级放大电路的输入电阻肯定与最终负载无关

87、关于单限电压比较器，下列说法错误的是________。

A、构成单限电压比较器的运放工作在非线性区

B、过零电压比较器是一种特殊的单限电压比较器

C、输出电压等于参考电压

D、ui的值等于参考电压时，输出电压uo发生跳变

88、直流电源中的滤波电路是________。

A、高通     B、低通 

C、带通     D、带阻 

、下列关于理想集成运算放大器的叙述，错误是________。 

A、输入电阻为零，输出电阻也为零 

B、输入信号为零时，输出信号也处于零电位 

C、频带宽度从零到无穷大 

D、开环电压放大倍数无穷大

90、二极管符号中的箭头方向与________方向一致。

A、外加电压    B、载流子运动

C、正向电流    D、反向电流