LinkSwitch-TN

LinkSwitch-TN在一个器件上集成了一个高压功率MOSFET开关及一个电源控制器。与传统的PWM（脉宽调制）控制器不同，LinkSwitch-TN采用简单的开／关控制器来调节输出电压。LinkSwitch-TN的控制器包括一个振荡器、反馈电路（检测及逻辑电路）、5.8V稳压电路、旁路引脚欠压电路、过温保护、频率调制、限流电路、前沿消隐电路及一个700V的功率MOS-FET。LinkSwitch-TN还另外集成了用于自动重启动的保护电路。

1)振荡器

典型的振荡器频率由内部设置，其平均频率为66kHz。振荡器可生成两个信号：最大占空比信号(DCMAX)及每个开关周期开始的时钟信号。LinkSwitch-TN的振荡器电路可产生轻微的频率调制，通常为4kHz峰峰值，用来降低EMI。频率调制的调制速率设置在1kHz的水平，目的是优化EMI并降低其平均值及准峰值。测量频率调制时应把示波精触发设定在漏极电压波形的下降沿来测量。

2)反馈输入电路

在FB引脚的反馈输入电路由一个低阻抗的源极跟随器输出，其输出设定为1.65V。当流人此引脚的电流大于49VA时，反馈电路的输出会产生一个低逻辑电平信号（禁止信号）。在每个时钟信号的上升沿，对此输出电平进行采样。如果采样值为高电平，功率MOSFET在此周期导通（使能）。相反，如果此采样电平为低电平，功率MOSFET会保持关断状态（禁止）。由于采样仅在每个周期信号的上升沿处进行，此周期中随后产生的FB引脚电压或电流的变化对MOSFET状态都不构成影响。

3)5.8V稳压器及6.3V分流稳压钳位电路

在MOSFET处在关闭期间，5.8V稳压器就会从漏极吸取电流，将连接到旁路引脚的旁路电容充电到5.8V。旁路引脚是LinkSwitch-TN的内部电源电压节点。当MOSFET导通时，LinkSwitch-TN器件利用储存在旁路电容内的能量供电。内部电路极低的功率消耗使LinkS-witch-TN仅依靠从漏极引脚吸收的电流持续工作。一个0.1斗F的旁路电容就足够实现高频去耦及能量存储。另外，当有电流通过一个外接电阻提供给旁路引脚时，芯片内部的一个6.3V的分流稳压钳位电路会将旁路引脚电压钳位在6.3V。利用外部的偏置绕组向LinkS-witch-TN供电．可以将空载能耗降低到50mW以下。

4)旁路引脚欠压保护

旁路引脚欠压电路在旁路引脚电压下降到4.85V以下时关闭功率MOSFET开关。一旦旁路引脚电压下降到4.85V之下，它必须再上升回5.8V才可重新使能（开启）功率MOSFET 开关。

5)过热保护

热关断电路检测硅片的温度。阈值设置在142℃并具备75℃的迟滞范围。当结温度超过这个阈值(142℃)时，功率MOSFET开关被禁止，直到结温度下降75℃，MOSFET才会重新开启。

6)电流

电流电路检测功率MOSFET的电流。当电流超过内部阈值(/LIMIT)时，在该周期剩余阶段会关断MOSFET。在功率MOSFET开启后，前沿消隐电路会在短时间内(tLEB)禁止电流限流比较器。通过设置前沿消隐时间，可以防止由电容及次级整流管反向恢复时产生的电流尖峰引起开关脉冲的提前误关断。

7)自动重启动（限于LNK304~306）

一旦出现故障，例如在输出过载、输出短路或开环情况下，LinkSwitch-TN进入自动重启动操作。每当FB引脚电压被拉高时，一个对振荡器记时的内部记数器会重新置位。如果50ms内FB引脚未被拉高，功率MOSFET开关就会被禁正800ms。自动重启动电路使功率MOSFET 间断性地导通和关断，直到故障排除为止。