
一、实验目的:
1、掌握随机存储器RAM的工作特性及使用方法;
2、掌握半导体存储器存储和读写数据的工作原理。
二、实验电路及其原理:
1.实验电路图
2、设计原理
存储器就是选择RAM地址,并对其操作存入数据,在需要时对其读取,并把数据输出到数据总线。实验思路大致为:
①第一个74273用来接收数据存放在RAM里的地址,即A0…7。当CPMAR有效时数据进入芯片。
②当WE=1,RD=0时,RAM进行写操作,接收存储在74273里的数传到地址端口,同时接收从B0…7输入的数据传到数据端口,把数据写到相应RAM里。
③当WE=0。RD=1时,RAM进行读操作,把对应存储单元的数据传到第二个74273,通过74273传到74244芯片输出。
三、实验步骤
1、根据实验原理在maxplus下连接电路图,对其进行编译。
2、根据实验原理设计各个输入端的波形图,对其进行仿真模拟获得输出数据,仿真波形如下图。
四、仿真图
说明:RAM在WRE=1时才工作,为方便起见WRE置为1;74244在RAM_BUS=0时工作,为方便起见RAM_BUS置为0。因CPMOR为一个周期变换一次,为了不浪费存储空间,A0为两倍的周期变换,A1为四周期变换,以此类推。存储的数据从11H起依次增加。
五、实验总结
通过本次实验熟练掌握MAX+PLUS软件,并运用该软件设计存储器,了解了存储器的结构设计和工作原理,并在理解的基础上自己设计了一个简单的存储器。在之后的波形仿真图模拟时,发现自己不能很好控制各个芯片的片选信号,不知道如何使各个芯片在合适的时间工作,在经过仔细分析后,设置了上图的波形图,保证每个存储单元都可以存到数,没有刚开始的浪费现象,数据在各个数据线之间的传输也正常,存储器的数据输出为两个周期输出一次(这是因为WR、RD为一个周期变换一次,在两个周期后才会读有效)。
通过此次实验对MAXPLUS有了初步了解,同时也对存储器的结构有了一定的了解,初步掌握了一些设置波形的技巧。
