氮化镓材料的特性

bandgap）的半导体，自1990

年起常用在发光二极管中。•分子量：83.7297

•熔点：1700℃结构

特性

应用•在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为

GaAs的一半。

•GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。

•GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，其可逆的反应方程式为：

Ga+NH3=GaN+3/2H2

•生长GaN需要一定的生长温度，且需要一定的NH3分压。人们通常采用的方法有常规MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等离子体增强MOCVD（PE—MOCVD）和电子回旋共振辅助MBE等。所需的温度和NH3分压依次减少。

•它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力。

•在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。

•未掺杂未掺杂载流子浓度可控制在1014～1020/cm3范围。另外，通过P型掺杂工艺和Mg的低能电子束辐照或热退火处理，已能将掺杂浓度控制在1011～1020/cm3范围。

•氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，

•在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景其他材料

•Gallium Arsenide Phosphide：GaAsP

•Indium Phosphide：GaP

•Gallium Aluminum Arsenic ：GaAlAs

•Silicon Germanium：锗硅，用于高频

•SOI：Silicon on Insulator 绝缘衬底硅

•Ferroelectric Material：铁磁材料

•Diamond Semiconductors：金刚石半导体，散热快本课重点

•氮化镓的主要特性

•氮化镓应用于集成电路芯片制造THANKS 谢谢