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《模拟电子技术》自测题(A)[2]

来源:动视网 责编:小OO 时间:2025-10-03 20:07:23
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《模拟电子技术》自测题(A)[2]

一.填空题(每小题2分,共30分)1.对PN结二极管,当(p)区外接高电位,而(n)区外接低电位,则PN结为正偏。2.P型半导体中多数载流子是(空穴),少数载流子是(自由电子);N型半导体中多数载流子是(自由电子),少数载流子是(空穴)。一.位3.二极管的正向电流是由(多数)载流子的(扩散)运动形成的;反向电流是由(少数)载流子的(漂移)运动形成的。4.三极管的输出特性有三个工作区,分别是(饱和区)、(截至区)、(放大区)。5.为了提高β值,晶体管BJT在结构上具有发射结杂质密度(大),基区杂
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导读一.填空题(每小题2分,共30分)1.对PN结二极管,当(p)区外接高电位,而(n)区外接低电位,则PN结为正偏。2.P型半导体中多数载流子是(空穴),少数载流子是(自由电子);N型半导体中多数载流子是(自由电子),少数载流子是(空穴)。一.位3.二极管的正向电流是由(多数)载流子的(扩散)运动形成的;反向电流是由(少数)载流子的(漂移)运动形成的。4.三极管的输出特性有三个工作区,分别是(饱和区)、(截至区)、(放大区)。5.为了提高β值,晶体管BJT在结构上具有发射结杂质密度(大),基区杂
 一.填空题   (每小题2分,共30分)

1. 对 PN 结二极管,当(  p  )区外接高电位,而 (  n  )区外接低电位,则PN结为正偏。

2. P型半导体中多数载流子是( 空穴) ,少数载流子是( 自由电子 ) ;N型半导体中多数载流子是( 自由电子 ), 少数载流子是( 空穴)  。

一.位  3 .二极管的正向电流是由(多数 )载流子的(扩散)运动形成的;反向电流是由(少数) 载流子的(漂移)运动形成的。

4.三极管的输出特性有三个工作区,分别是(饱和区)、(截至区 )、(放大区) 。

5. 为了提高 β 值, 晶体管 BJT 在结构上具有发射结杂质密度(大 ),基区 杂质密度和基区 (小)的特点 。                  

6. 场效应管 FEJ 的三种基本放大组态∶ CS组态、CD组态和CG组态,其放大特性分别与BJT的(CE)组态、(CC)组态和(CB)组态相似 。

7, FET 的(沟导宽度)效应与 BJT 的基区宽度效应相似,基区宽度效应使集电结反偏电压变化对集电极电流ic有影响,而FET的效应使(  栅源)电压的变化对íd生影响 。

8.稳压管是利用二极管(反向击穿)特性工作的 。

9, 差动放大器依靠电路的(对称)和(共模输人)负反馈来抑制零点漂移 。

10.晶体管工作受温度影响是由于温度升高(REβ)增加所致 。

11.如果放大器出现非线性失真,则输出频率分量一定比输入频率分量(多) 。

12,负反馈以损失(增益)为代价,可以提高(电路)的稳定性;减少(非线性)失真。

13, 放大器无反馈时的输出电阻为 RO,对电压取样负反馈的输出电阻为(RO/(1+A F)),而电流取样负反馈的输出电阻为(R0(1+A F)) 。

14, BTJ 放大器电路中,由于(耦合电容)的影响,使低频段增益是频率的函数,且 ,由于(极间电容)的影响,使高频段增益也是频率的函数 。

15, FET的小型号跨导定义为 gm =(dīD/d u Qs) , 且,耗尽型管与增强型               管 gm 不同,是因为其平方律公式(不同) 。

二, 选  择    ( 将正确答案的题号填在括号内, 每小题2,共10分 )                                    

       1, 电流求和负反馈使输人电阻( 3  );电压求和负反馈使输人电阻(1 )。

 ① 增加      ② 不变       ③ 减少

      

2, FET 依靠(1)控制漏极电流íD的器件。

      ① 电 场      ② 电 流      ③ 电 阻

     

3, NPN管放大偏值电路中,若VC 增加,则 IB (3)。

           ① 几乎不变        ② 略有增加         ③  略有减小

4, 集成运放采用有源负载的目的是(2)。

① 稳定工作点      ② 提高电压增益      ③  减少温度漂移

 

    5, 下面几种复合管中,只有 (3 )连接正确。

        ①                                ②                           ③

 

三、简答题      ( 共10分 )      

1.二极管的交流电阻 rd 的定义和估算式等于什么?简单推推倒 。

γd=(  dīd/dud )-1 =[ IDS(eud   uT- 1)]'≈ vT  /ID                    Q

                             Q                        Q

2.放大器加负反馈后,其增益稳定性提高1+AB的论点是否确切?说明理由。

B为常数的条件下,其增益稳定性才是提高1+AB倍,因为推导公式时,假定B为常数

3.何谓功率输出级的最佳负载?

指尽可能高的功率,器件不产生严重失真的条件下给出的指定的功率

四,  图示中的FET各工作在什麽区  ( 共10分 )

                        11V                                6V

       -5V                               -3V

                                                                            

      

 ( a )  VP =-4V                    ( c )  VP  = -4V

( a )   截止区   ( b )     放大区

五, 试判断下面运算放大器所组成的反馈放大器的类型和极性,并计算 ( a ) 之uo  .

(共20分)。

   

                  Rf                                                                                            

     R1                                            

+               -                                   +               + 

ui            +                   +               ui              -                    +

                       RL      uo                                          RL    uo

-                          -              -    R1            Rf            -     

          ( a )                                              ( b )

                                   VCC

              Rf          RC  C2                                                                 

                                                                              

                C1                                                                                        

                                                             uo                                                                                                                      ui                                                                                       

                                     

                       

                              ( c)                                     

(a)   电压并联负反馈 

(b)    ……串…………

(c)    ……并…………      ;

(a)  uo =-íf Rf =-īR Rf=-ui ( Rf/R1 )

六, 图示 CE电路,其CE电流放大系数为 β,BJT的输入电阻为 γbe , 试:

(1)画出直流通路,并写出求静态值 IC  、 VCE 的表达式;         (共20分)

(2)画出中频段的交流通路 ,和小信号等效电路;

(3)求放大器在中频段的 Ri ,RO ,AV 和 AVS  的表达式 。           

                                     + VCC

                 R1                    RC           

           C1                                C2

                                       +

RS         +                                        RL      uo

  +      ui  R2     RE                CE                  

 uS                                                              -

(1)                                      +

     R1               RC     IC+                  

                             VCE             Vcc     

                             -     

                  R2                      RE                       

 直流通 路

IC ≈ IE =[VCC · R2/( R1+R2)-0.6 ]/RE

VCE=VCC-IC ·(RC+RE)

(2)                                 +

                ib     ic

                           RC     RL    uo

RS        R1      R2

+                                                 

us

交流通路

                          

                           ib                        ic

                                                             +

 us    R1∥R2       rbe

                      βib      Rc         -

                                         Ri

小信号等效电路

                                  

Ri=RB∥rbe 、   Ro=Rc    

  AV=-(β·RC∥RL)/Ri

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《模拟电子技术》自测题(A)[2]

一.填空题(每小题2分,共30分)1.对PN结二极管,当(p)区外接高电位,而(n)区外接低电位,则PN结为正偏。2.P型半导体中多数载流子是(空穴),少数载流子是(自由电子);N型半导体中多数载流子是(自由电子),少数载流子是(空穴)。一.位3.二极管的正向电流是由(多数)载流子的(扩散)运动形成的;反向电流是由(少数)载流子的(漂移)运动形成的。4.三极管的输出特性有三个工作区,分别是(饱和区)、(截至区)、(放大区)。5.为了提高β值,晶体管BJT在结构上具有发射结杂质密度(大),基区杂
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