
1. 对 PN 结二极管,当( p )区外接高电位,而 ( n )区外接低电位,则PN结为正偏。
2. P型半导体中多数载流子是( 空穴) ,少数载流子是( 自由电子 ) ;N型半导体中多数载流子是( 自由电子 ), 少数载流子是( 空穴) 。
一.位 3 .二极管的正向电流是由(多数 )载流子的(扩散)运动形成的;反向电流是由(少数) 载流子的(漂移)运动形成的。
4.三极管的输出特性有三个工作区,分别是(饱和区)、(截至区 )、(放大区) 。
5. 为了提高 β 值, 晶体管 BJT 在结构上具有发射结杂质密度(大 ),基区 杂质密度和基区 (小)的特点 。
6. 场效应管 FEJ 的三种基本放大组态∶ CS组态、CD组态和CG组态,其放大特性分别与BJT的(CE)组态、(CC)组态和(CB)组态相似 。
7, FET 的(沟导宽度)效应与 BJT 的基区宽度效应相似,基区宽度效应使集电结反偏电压变化对集电极电流ic有影响,而FET的效应使( 栅源)电压的变化对íd生影响 。
8.稳压管是利用二极管(反向击穿)特性工作的 。
9, 差动放大器依靠电路的(对称)和(共模输人)负反馈来抑制零点漂移 。
10.晶体管工作受温度影响是由于温度升高(REβ)增加所致 。
11.如果放大器出现非线性失真,则输出频率分量一定比输入频率分量(多) 。
12,负反馈以损失(增益)为代价,可以提高(电路)的稳定性;减少(非线性)失真。
13, 放大器无反馈时的输出电阻为 RO,对电压取样负反馈的输出电阻为(RO/(1+A F)),而电流取样负反馈的输出电阻为(R0(1+A F)) 。
14, BTJ 放大器电路中,由于(耦合电容)的影响,使低频段增益是频率的函数,且 ,由于(极间电容)的影响,使高频段增益也是频率的函数 。
15, FET的小型号跨导定义为 gm =(dīD/d u Qs) , 且,耗尽型管与增强型 管 gm 不同,是因为其平方律公式(不同) 。
二, 选 择 ( 将正确答案的题号填在括号内, 每小题2,共10分 )
1, 电流求和负反馈使输人电阻( 3 );电压求和负反馈使输人电阻(1 )。
① 增加 ② 不变 ③ 减少
2, FET 依靠(1)控制漏极电流íD的器件。
① 电 场 ② 电 流 ③ 电 阻
3, NPN管放大偏值电路中,若VC 增加,则 IB (3)。
① 几乎不变 ② 略有增加 ③ 略有减小
4, 集成运放采用有源负载的目的是(2)。
① 稳定工作点 ② 提高电压增益 ③ 减少温度漂移
5, 下面几种复合管中,只有 (3 )连接正确。
① ② ③
三、简答题 ( 共10分 )
1.二极管的交流电阻 rd 的定义和估算式等于什么?简单推推倒 。
γd=( dīd/dud )-1 =[ IDS(eud uT- 1)]'≈ vT /ID Q
Q Q
2.放大器加负反馈后,其增益稳定性提高1+AB的论点是否确切?说明理由。
B为常数的条件下,其增益稳定性才是提高1+AB倍,因为推导公式时,假定B为常数
3.何谓功率输出级的最佳负载?
指尽可能高的功率,器件不产生严重失真的条件下给出的指定的功率
四, 图示中的FET各工作在什麽区 ( 共10分 )
11V 6V
-5V -3V
( a ) VP =-4V ( c ) VP = -4V
( a ) 截止区 ( b ) 放大区
五, 试判断下面运算放大器所组成的反馈放大器的类型和极性,并计算 ( a ) 之uo .
(共20分)。
Rf
R1
+ - + +
ui + + ui - +
RL uo RL uo
- - - R1 Rf -
( a ) ( b )
VCC
Rf RC C2
C1
uo ui
( c)
(a) 电压并联负反馈
(b) ……串…………
(c) ……并………… ;
(a) uo =-íf Rf =-īR Rf=-ui ( Rf/R1 )
六, 图示 CE电路,其CE电流放大系数为 β,BJT的输入电阻为 γbe , 试:
(1)画出直流通路,并写出求静态值 IC 、 VCE 的表达式; (共20分)
(2)画出中频段的交流通路 ,和小信号等效电路;
(3)求放大器在中频段的 Ri ,RO ,AV 和 AVS 的表达式 。
+ VCC
R1 RC
C1 C2
+
RS + RL uo
+ ui R2 RE CE
uS -
(1) +
R1 RC IC+
VCE Vcc
-
R2 RE
直流通 路
IC ≈ IE =[VCC · R2/( R1+R2)-0.6 ]/RE
VCE=VCC-IC ·(RC+RE)
(2) +
ib ic
RC RL uo
RS R1 R2
+
us
交流通路
ib ic
+
us R1∥R2 rbe
βib Rc -
Ri
小信号等效电路
Ri=RB∥rbe 、 Ro=Rc
AV=-(β·RC∥RL)/Ri
