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用EEPROM扩展单片机ROM实验

来源:动视网 责编:小OO 时间:2025-10-03 04:21:25
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用EEPROM扩展单片机ROM实验

实验九用EEPROM扩展单片机ROM实验一、实验目的1.用EEPROM27C扩展51单片机ROM(27C为外ROM)。2.用proteus设计、仿真基于ATC51单片机ROM的扩展实验。3.借助proteusVSM的虚拟逻辑分析仪,观测单片机访问外ROM(即27C)时地址、数据和控制总线的信号状态。二、电路设计1.从PROTEUS库中选取元件①ATC51.BUS:总线式的单片机;②RES:电阻;③7SEG-BCD-GRN:带BCD译码七段绿光数码管;④CAP、CAP-ELE
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导读实验九用EEPROM扩展单片机ROM实验一、实验目的1.用EEPROM27C扩展51单片机ROM(27C为外ROM)。2.用proteus设计、仿真基于ATC51单片机ROM的扩展实验。3.借助proteusVSM的虚拟逻辑分析仪,观测单片机访问外ROM(即27C)时地址、数据和控制总线的信号状态。二、电路设计1.从PROTEUS库中选取元件①ATC51.BUS:总线式的单片机;②RES:电阻;③7SEG-BCD-GRN:带BCD译码七段绿光数码管;④CAP、CAP-ELE
实验九 用EEPROM扩展单片机ROM实验

一、实验目的

1.用EEPROM 27C扩展51单片机ROM(27C为外ROM)。

2.用proteus设计、仿真基于ATC51单片机ROM的扩展实验。

3.借助proteus VSM的虚拟逻辑分析仪,观测单片机访问外ROM(即27C)时地址、数据和控制总线的信号状态。

二、电路设计

1.从PROTEUS库中选取元件

①ATC51.BUS:总线式的单片机;

②RES:电阻;

③7SEG-BCD- GRN:带BCD译码七段绿光数码管;

④CAP、CAP-ELEC:电容、电解电容;

⑤CRYSTAL:晶振;

⑥74LS373:8D锁存器;

⑦27C:EEPROM存储器。

2.放置元器件

3.放置电源和地

4.连线

5.元器件属性设置

6.电气检测

三、源程序设计、生成目标代码文件

1.流程图

2.源程序设计

(1)通过菜单“source→Build All”编译汇编源程序,生成目标代码文件。若编译失败,可对程序进行修改调试直至汇编成功。

(1)加载单片机目标代码文件

对ATC51单片机先右击后左击,打开其属性编辑窗口,在“Program File”栏中添加目标代码文件27.HEX;在“Clock Frequency”栏中输入晶振频率为120HZ。

(2)加载27C目标代码文件

对27先右击后左击,打开其属性编辑窗口,在映像文件“Image File”栏中输入外ROM程序的目标代码文件P27.HEX。

四、PROTEUS仿真

    1.加载目标代码文件

    2.仿真

单击按钮,启动仿真。启动仿真后,因单片机的脚接电源,从单片机内ROM地址0H开始执行指令LJMP 1000H。因内ROM的最大地址为0FFFH,而外ROM 27C的地址从0H到1FFFH,当指令地址大于0FFFH时就自动转到外ROM中去执行程序,所以执行LJMP 1000H是跳转到外ROM 27C的地址1000H处执行外ROM 27C中的程序。它是令数码管不断循环显示0、1、…、F的程序,都在外ROM 27C中执行。

    若要观察外ROM 27C中程序的机器代码,可在启动仿真后单击仿真暂停按钮,再通过菜单“DEBUGMemory Contents-U3”,则弹出显示外ROM 27C机器代码的存储器内容(Memory Contents)窗口。

五、思考题:

1.采用 74LS138译码器,画出扩展8片6116的接口图。

2.8255分别有几种工作方式,其特点是什么?

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用EEPROM扩展单片机ROM实验

实验九用EEPROM扩展单片机ROM实验一、实验目的1.用EEPROM27C扩展51单片机ROM(27C为外ROM)。2.用proteus设计、仿真基于ATC51单片机ROM的扩展实验。3.借助proteusVSM的虚拟逻辑分析仪,观测单片机访问外ROM(即27C)时地址、数据和控制总线的信号状态。二、电路设计1.从PROTEUS库中选取元件①ATC51.BUS:总线式的单片机;②RES:电阻;③7SEG-BCD-GRN:带BCD译码七段绿光数码管;④CAP、CAP-ELE
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