一、工作原理
图一为双稳态电路，它是由两级反相器组成的正反馈电路，有两个稳定状态，或者是BG1导通、BG2截止；或者是BG1截止、BG2导通，由于它具有记忆功能，所以广泛地用于计数电路、分频电路和控制电路中。
原理，图2（a）中，设触发器的初始状态为BG1导通，BG2截止，当触发脉冲方波从1端输入，经CpRp微分后，在A点产生正、负方向的尖脉冲，而只有正尖脉冲能通过二极管D1作用于导通管BG1的基极是。ic1减小使BG1退出饱和并进入放大状态，于是它的集电极电位降低，经电阻分压器送到截止管BG2的基极，使BG2的基极电位下降，如果下降幅度足够时，BG2将由截止进入放大状态，因而产生下列正反馈过程（看下列反馈过程时，应注意：在图一的PNP电路中，晶体管的基极和集电极电位均为负值，所以uc1↓，表示BG1集电极电位降低，而uc1↑则表示BG1集电极电位升高，当BG1基极电位降低时，则ic1↑，反之当BG1基极电位升高时，ic1↓，ic1越来越小，ic2越来越大，最后到达BG1截止、BG2导通；接差触发脉冲方波从2端输入，并在t=t2时，有正尖脉冲作用于导通管BG2的基极，又经过正反馈过程，使BG1导通，BG2截止。以后，在1、2端的触发脉冲的轮流作用下，双稳电路的状态也作用相应的翻转，如图一（b）所示。
图一、双稳态电路
由上述过程可见：（1）双稳态电路的尖顶触发脉冲极性由晶体管的管型决定：PNP管要求正极性脉冲触发，而NPN管却要求负极性脉冲触发。（2）每触发一次，电路翻转一次，因此，从翻转次数的多少，就可以计算输入脉冲的个数，这就是双稳态电路能够计算的原理。
双稳态电路的触发电路形式有：单边触发、基极触发、集电极触发和控制触发等。
图二给出几种实用的双稳态电路。电路（a)中D3、D4为限幅二极管，使输出幅度在-6伏左右；电路（b）中的D5、D6是削去负尖脉冲；电路（C）中的ui1、ui2为单触发，ui为输入触发表一是上述电路的技术指标。
图二、几种实用的双稳态电路
| 表一 | 几种双稳态触发器的技术指标 | ||||
| 图二 | (a) | (b) | (c) | (d) | |
| 管型 | 二极管 | 2AP3 | 2AP15 | 2AK1C | 2AK17 |
| 三极管 | 3AX31B | 3AG40 | 3AK20 | 3DK3B | |
| 信号电平 | “0”（无信号）（V） | 0 | 0 | 0 | +6 |
| “1”（有信号）（V） | -6 | -6 | -9 | 0 | |
| 工作频率（KHz） | 10 | 600 | 1000 | 8000 | |
| 抗干扰电压（V） | ≥1 | ≥1.5 | ≥2 | 0.8-1 | |
| 触发灵敏度（V) | ≤4 | ≤4.8 | ≤7 | 2.5 | |
| 输出端的吸收能力（mA) | ≤4 | ≤6.7 | ≤2 | 10 | |
| 输出端的发射能力（mA) | ≤44 | ≤12 | ≤12 | 7 | |
| 输出脉冲的上升时间（μs） | 2 | ≤0.30 | ≤0.1 | ≤0.1 | |
| 输出脉冲的下降时间（μs） | 2 | ≤0.36 | ≤0.15 | ≤0.1 | |
| 对β值的要求 | ＞50 | 50-80 | 60-90 | ＞50 | |
| 元件参数的允许化 | △β＜10,±5% | △β＜10,±5% | △β＜10,±5% | △β＜10,±5% | |
| 电源电压的波动范围 | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% | |
| 工作温度范围（℃） | 0-40 | -10-55 | -20-50 | -10-55 | |
图三、双稳态的设计电路
双稳态设计电路见表二
| 表二 | 双稳态电路的设计公式及计算实例 | |
| 要求 | （1）输出幅度Um=6V,（2）上升时间，tr≤100nS （3）最高工作频率fmax=1MHz | |
| 步骤 | 计算公式 | 计算实例 |
| 选择晶体管 | 若工作频率高时，应选用高速硅开关管 若工作频率低可选用低频硅或锗管 | 现选3DK，β=50 二极管选用2CK10 |
| 选择电源电压 | 图3为设计电路，故应确定ED、EC、EB | ∵采用箝位电路，故选ED≈Um ∴ED=6V，Ec=2ED=12v,Eb=-12 |
| 计算Rc | Rc＜Ec/ED tr/CL CL为集电极对地的电容（包括加速电容、分布电容、后级输入电容） | 现设CL=180pF Rc＜12/6 100×10/180×10=1.1kΩ |
| 计算Rk、RB | 为保证可靠截止，应满足： Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RK＜Ubeo 为保证可靠饱和，应满足： β{[(Uco-Ubes)/RK]-[(EB+Ubes)/RB]}＞[(Ec-Uces)/Rc]+IL 式中：Uces为饱和电压，对硅管Uces≈(0.3～0.4)V Ubeo为截止管临界电压，Ubeo≈0.2V Uco为截止管的集电极电压，应取：Uco=ED+(箝位管正向压降）IL为双稳电路灌入负截电流 | 现选Uces=0.4V,Ubeo=0.2V 0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk＜0.2 ∴RB＜61RK (A) 现设IL=100mA,Ueo=6+0.4=6.4V 50[(6.4-0.7)/RK]-[(12+0.7)/RB]＞[(12-0.4)/1]+10 ∴RB＞12.7RK/(5.7-0.43RK (B) 若选RK=6.8k由（A）算得RB＜415K，由(B)式算得RB＞31K，故选RB=39K |
| 选择CrRr | RrCr≤1/2fmax,通常Cr为几十pF
| 现选Cr=51pF ∴Rr≤1/6×1051×10=3.2k 故选Rr=2.4k |
| 选择加速电容CK | 对合金管CK为几百pF对高频外延管CK为几十pF | 现选Ck=51pF 计算结果标在图三中 |
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