
9.3 光生伏特效应用适当波长的光照射没有外加偏压的非均匀半导体(如 pn 结)或其它半导体结构时,由于光激发和半导体内建电场的作用,使半导体内部产生电动势,这种现象称为光生伏特效应。
常见的光生伏特效应有:
1、PN 结光生伏特效应
2、体内光生伏特效应(丹倍效应)
3、光磁电效应1、无光照
在 p 区和 n 区的界面附近
形成空间电荷区和内建电场。电
子和空穴的漂移运动方向与各自
的扩散运动方向相反,达到一个
动态平衡时,即形成了一个保持
一定宽度的空间电荷区,p 区和
n 区具有统一的费米能级,处于
热平衡状态。
图1 无光照时的空间电荷区和能带结构2、有光照
光照射半导体,若光子能量大于
禁带宽度,由于本征吸收使体内产生
电子空穴对。在光激发下,半导体的
多数载流子浓度一般变化很小,然而
少数载流子浓度却变化很大,因此,
这里主要考虑少子的运动。
图2 有光照时的空间电荷区和能带结构在内建电场的作用下,p 区的光生电子穿过 pn 结进入 n 区,而 n 区的光生空穴则进入 p 区,使 p 端电势升高,n 端电势降低,于是在 pn 结两端形成了光生电动势。这一现象就是 pn 结的光生伏特效应。
此时,p区和n区没有统一的费米能级,在半导体两端产生了一个光生电动势V,p区为正,n区为负。
图3 光照情况下pn结区的电流
上式中的电流 I L 称为光生电流,pn 结两端存在的电势差称为开路电压 V OC 。 如果将 pn 结的外电路接通且保持光照不停止,外电路中就有不间断的电流 I 通过,这时 pn 结起电源的作用,这就是光电池的基本原理。 I =I L +I F = 0
这相当于在 pn 结上施加了一个外加正向电压V ,使势垒降低为
,产生了一个正向电流 I F ,但此时外电路开路,即 pn 结没有净电流通过,因此在 pn 结上必定还同时存在一个与 I F 大小相等、方向相反的电流 I L ,使通过 pn 结的净电流为:
D qV qV
3、光电池的伏安特性光电池工作时有三种电流存在:
其中,I L 和 I F 都是流经 pn 结内部,两者方向相反。
流过 pn 结的光生电流 I L
光生电压作用下的 pn 结正向电流 I F
电池外电路中的电流 I
图4 太阳能电池结构示意
在正向电压作用下,pn 结的正向电流为:
()
0F s 1qV k T I I e =-式中的 I s 是反向饱和电流,V 为光生电压。
当外电路接通时,负载电阻 R 上的电流为:
()
0L F L s 1qV
k T I I I I I e =-=--
根据上式求出开路电压,外电路开路时,外电路中的电流等于零,即 ()0L oc s
In 1k T I V q I =+由上式可求出开路电压 V oc ,即
在短路状态,即 V = 0 时,可求出短路电流 I sc ,即
当 V = V oc 时, I = 0 ,所以有:
oc 0L s 1qV k T I I e ⎛⎫=- ⎪ ⎪⎝⎭
图5 太阳能电池的 I –V 特性曲线
影响光电池开路电压 V oc 和短路电流 I sc 大小的因素有两个:其一是光照能够产生大量的光生载流子;其二是能够把产生的光生电子和光生空穴分离,即 n 区 L p 以内的空穴能够扩散到达空间电荷区,并被自建电场扫向 p 区,p 区 L n 以内的电子能够扩散到达空间电荷区,并被自建电场扫向 n 区。 设:pn 结的结面积为A ,则两个扩散区
的体积为:
( L p + L n )A
光生载流子数 = 产生率 ×体积上式表示的是体积 (L n +L p )A 内产生的光生载流子数。由于光的透入深度各不
相同,这里的产生率通常取平均值,即 。
Q 图6 太阳能电池空间电荷区示意
从开路电压V OC 的表达式可以看到, V OC 随光强度的增加而增大,但V OC 最大也只能等于 pn 结的势垒高度V D 。 则: ()
L p n I qQA L L =+所以: 光生载流子数()p n
Q A L L =+(指 从 n 区流向 p 区的电流,与 I F 相反)由于 ∝ 光的强度Q
所以 I L ∝ 光的强度
光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池。
二、体内光生伏特效应(丹倍效应) 当与光的照射方向平行的样品其厚度 d 小于光的透入深度 δ 时,在样品表面和内部之间会产生电位差。
该效应产生的电动势约为:
伏图7 体内光生伏特效应原理示意.00026k T V q
∆<=
三、光磁电效应
当在引起丹倍效应的样品上沿着与光垂直的方向施加一个磁场时,由丹倍效应引起的扩散电流受到洛仑兹力的作用而产生霍尔电动势,即在垂直于光和磁场的方向产生电动势,把该现象称为光磁电效应。
光磁电效应产生的光生电动势比丹倍效应产生的电动势还要小得多。
图8 光磁电效应原理示意
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