真空泵直拉单晶炉真空系统

目前硅单晶的生产方法以直拉法(CZ)和区熔法(FZ)为主，世界上硅单晶的产量中70%~80% 是用直拉法生产的。常用的直拉法生产硅单晶工艺是采用即像真空工艺又像流动气氛工艺的减压拉晶工艺。

　　减压拉晶工艺是在硅单晶拉制过程中，连续均匀地向单晶炉炉膛内通入惰性气体(一般采用高纯度的氩气)，同时真空泵不断地从炉膛向外抽气，保持炉膛内真空度稳定在(2.7~5.3)×103Pa。这种工艺既有真空工艺的特点(炉膛内保持负压)，又有流动气氛工艺的特点(不断充气，不断排气)。

　　采用这种工艺可以在硅单晶生长过程中，使向炉膛内充入的高纯度氩气气流从上而下地贯穿整个硅单晶生长的区域，及时地带走由于高温而产生出来的硅氧化物和杂质挥发物，确保硅单晶的品质。根据现在最常用的硅单晶直拉法减压拉晶工艺，真空系统一般都配备滑阀式真空泵。但随着大直径、重掺杂等特殊要求的硅单晶需求量的增加，对单晶炉设备的要求也越来越高，采用滑阀式真空泵的缺点也日益显现。

　　采用滑阀式真空泵直拉单晶炉真空系统的缺点，通过改造真空系统，将水环式真空泵应用在直拉单晶炉设备上，提高了直拉单晶炉的整体性能。