蚀刻工艺流程

1.2打开射频电源预热20分钟。

1.3将扩散完、待加工的硅片整齐地叠在一起，在最上面、最下面的硅片上加同规格的塑料薄片，用四氟片压好，盖上盖板，平衡拧紧螺丝，（控制好力度，要压紧，但也不要太过用力，以免压碎硅片）放入离子刻蚀机反应室，对准盖好上盖板。

1.4打开机械泵，开主抽，开始抽真空，抽到最低，同时开启氧气和四氟化碳，并按工艺条件调节氧气和四氟化碳的流量比例。

1.5打开射频电源Ua，调节电压到工艺设定条件，真空室开始发出粉红偏白的辉光，再调节C1和C2匹配，是入射功率最大，反射功率最小。

1.6刻蚀设定时间（详见工艺）到后，关闭射频电源Ua，关闭氧气和四氟化碳。

1.7继续抽真空，抽到最低，关主抽开充气，反复两至三次。

1.8打开上盖板，取出已去边的硅片，拿开上下塑料薄片，取上、下及中间（每隔10片左右抽一片）的硅片, 用万用表检测硅片四个周边电阻值是否符合工艺规范之要求。

1.9工作结束后，把硅片夹放回真空室，开主抽，抽一会儿真空（10秒即可），关主抽，关机械泵，关射频电源和冷却水，关闭氧气和四氟化碳气瓶开关。