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氮化镓充电器和普通充电器区别 氮化镓充电器和普通充电器区别是什么

来源:动视网 责编:小OO 时间:2022-04-03 05:42:31
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氮化镓充电器和普通充电器区别 氮化镓充电器和普通充电器区别是什么

氮化镓是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
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导读氮化镓是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。


1、氮化镓是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。

2、氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。其实说白了就是氮化镓充电器充电功率更高,体积比传统同功率充电更小,看起来会更精致一些,但是同样的价格也更贵。

3、传统的普通充电器,它的基础材料是硅,硅也是电子行业内非常重要的材料。但随着硅的极限逐步逼近,硅的开发也到了一定的瓶颈,许多厂商开始努力寻找更合适的替代品。加之随着快充功率的增大,快充头体积也就更大,携带起来非常不方便;一些大功率充电器长时间充电还容易引起充电头发热;因此,寻找新型的代替材料就更加迫切。氮化镓充电器就是在这样的环境下诞生的。

4、氮化镓充电器其实只是利用了氮化镓材料的特性,电源适配器从根本上降低了开关损耗和传导损耗,让转换器拥有更高的开关频率,同时减小变压器的尺寸,提升转化效率,同时发热减少了,散热材料可以进一步缩减,电源适配器的整体尺寸自然也可以做得更小,转换效率还更高。

5、理论上氮化镓充电器在发热方面控制得会更好一些,但是在一些实际的使用过程中发现,氮化镓充电器比普通充电器的发热量更大,可能是因为体积减少的缘故吧。综合来看,氮化镓似乎并没有带来什么质的飞跃,虽然性能上确实厉害一点,但牺牲了发热,最重要的是体积重量与价格上并没有傲视群雄。现在市面上氮化镓充电器普遍比同类型的普通充电器贵50%以上。

6、氮化镓充电器最主要的成本来自于MOS功率芯片,昂贵的原材料直接导致了消费级氮化镓充电器价格偏高,目前市面上的氮化镓充电器基本上是一百多块。不过随着越来越多厂商参与进来,相信技术会越来越成熟,成本下降只是时间问题。

7、随着用户对充电器通用性、便携性的需求提高,未来氮化镓快充市场规模将快速上升。就整个消费电子行业的情况来看,氮化镓已经在全球主流的消费电子厂商中得到了关注和投入,氮化镓也正在伴随充电器快速爆发。综合性能和成本两个方面,氮化镓也有望在未来成为消费电子领域快充器件的主流选择。

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氮化镓充电器和普通充电器区别 氮化镓充电器和普通充电器区别是什么

氮化镓是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
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