静态存储器和动态存储器的区别

静态存储器和动态存储器的区别是：

　　静态RAM（SRAM）速度非常快，只要电源存在内容就不会自动消失。其基本存储电路为6个MOS管组成1位，因此集成度相对较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器用它组成。动态RAM（DRAM）的内容在10-3或l0-6秒之后自动消失，因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新。由于它的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此它的集成度高，成本较低，另外耗电也少，但它需要一个额外的刷新电路。DRAM运行速度较慢，SRAM比DRAM要快2到5倍，一般，PC机的标准存储器都采用DRAM组成。

　　静态存储器依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。每个 双稳态电路存储一位 二进制代码0或1，一块 存储芯片上包含许多个这样的双稳态电路。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。

　　静态存储器在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。 例如，日历、短信息和电话簿 （或通讯录） 可能会共享移动设备中的动态存储器。一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态随机存取内存(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。